Сопротивление - эмиттерной переход
Cтраница 5
 |
Коллекторные характеристики мощного транзистора. [61] |
Большие рабочие токи приводят к резкому уменьшению сопротив лений гэ и гк. Из выражения ( 4 - 22) следует, что при токе больше 100 MI сопротивление эмиттерного перехода ничтожно мало и с ним практи чески можно не считаться. Поэтому в схеме ОЭ входным сопротивле нием будет по существу только сопротивление базы гб ( см. рис. 4 - 24) Последнее при высоких уровнях инжекции модулируется ( см. рис 2 - 34) и обычно лежит в пределах до 10 ом. Малая величина входной сопротивления не является препятствием для применения мощньн транзисторов, если связь с источником сигнала осуществляется чере: трансформатор. [62]
 |
Физическая эквивалентная схема транзистора.| Физическая эквивалентная схема транзистора с ОЭ. [63] |
На рис. 4.16 показана эквивалентная схема транзистора, соответствующая физическим ( первичным или внутренним) параметрам. Каждому элементу этой эквивалентной схемы можно придать определенный физический смысл: гэ - дифференциальное ( динамическое) сопротивление эмиттерного перехода, включенного в прямом направлении. [64]
Емкость Cv на низких частотах вызывает уменьшение входного тока базы тран шстора Tt и, следовательно, уменьшение усиления на этих частотах. Влияние емкости Съ заключается в том, что на низких частотах полное сопротивление эмиттерной цепи ( включая сопротивление эмиттерного перехода F a) Za Ra rj ( 1 ] гаСа) становится отличным от г8 и зависящим от частоты. [65]
 |
Эквивалентная схема ывают взаимосвязь этих двух. [66] |
В частности, схема рис. 314 нехороша тем, что она не отражает электрическую схему триода. Поэтому лучшей считается эквивалентная схема, представленная на рис, 315, в которой сопротивления гэ, тк и г / являются соответственно сопротивлениями эмиттерного перехода, коллекторного перехода и основания для переменного тока. [67]
Страницы: 1 2 3 4 5