Сопротивление - эмиттерной переход
Cтраница 4
Однако сопротивление эмиттерного перехода обычно намного меньше сопротивления коллекторного перехода. Таким образом, приведенная схема каскада на транзисторе осуществляет усиление напряжения, а сам транзистор представляет собой усилительный элемент, так же как и электронная лампа. Рассмотренная схема усилительного каскада на транзисторе ( рис. 61) во многом напоминает схему каскада усиления на электронной лампе. Однако лампу и транзистор считать совершенно аналогичными приборами нельзя, так как в их работе имеются существенные различия. Первое из них заключается в том, что если электронная лампа управляется н а п р я ж е н и е м, то транзистор - током. Если при нормальных условиях работы лампы ее сеточный ток или очень мал, или вообще равен нулю, то нормальная работа транзистора невозможна без тока базы. [46]
Среди др. параметров транзистора, ограничивающих его частотный предел, следует отметить зарядную емкость эмиттерного перехода. Эта емкость шунтирует сопротивление эмиттерного перехода и на ВЧ, что приводит к дополнит, падению коэфф. [48]
Последняя зависимость играет главную роль, если ток нагрузки меняется в широких пределах. Как известно, коэффициент передачи р и - сопротивление эмиттерного перехода гь уменьшаются с увеличением рабочего тока транзистора, причем зависимость га ( 1э) более сильная. [49]
 |
Принципиальная схема для температурной стабилизации паузы в блокинг-генераторе.| График зависимости длительности паузы от температуры для стабилизированной схемы на рис, 3 - 9. [50] |
Окончание этапа разряда емкости и начало процесса перехода схемы в другое состояние определяются свой -, ствами триодов при весьма близких к нулю токах эмиттера. Кроме того, вблизи нулевых токов существенно меняются сопротивление эмиттерного перехода гд и емкость перехода. [51]
Рассмотрим влияние емкости Сэ эмиттерного перехода. Это объясняется тем, что емкость Сэ зашунтирована сопротивлением эмиттерного перехода ra, имеющим очень малую величину. Сопротивление 1 / соСэ начинает оказывать влияние только на очень высоких частотах, где оно становится соизмеримым с гэ. На этих частотах транзистор обычно не работает, так как емкость Ск почти полностью шунтирует генератор тока / г. Из этого следует, что влиянием емкости Сэ на частотные свойства транзистора можно пренебречь. [52]
 |
Схема включения транзистора типа п-р - п. [53] |
Вследствие этого электрическое поле, образованное между эмиттером и базой, будет направлено против контактного поля, а поле, образованное между коллектором и базой, будет совпадать с контактным. Так как эмиттер включен в прямом направлении, то сопротивление эмиттерного перехода мало и в цепи эмиттер - база будет протекать большой прямой ток. [54]
 |
Зависимость изменения распределения дырок в области базы от изменения толщины коллекторного перехода при постоянном напряжении на эмиттерном переходе. [55] |
Можно сказать, что расширение области коллекторного перехода приводит к появлению обратной связи по напряжению между эмиттерным и коллекторным переходами. С другой стороны, это можно трактовать как изменение сопротивления эмиттерного перехода протекающему току, так как изменение напряжения между двумя областями при неизменном токе может произойти только при изменении сопротивления. [56]
Это предположение справедливо только для относительно низких частот, когда проводимость зарядной емкости эмиттерного перехода оказывается значительно меньше активной проводимости перехода 1 / гв. При токах эмиттера порядка 0 5 - 1 0 ма сопротивление эмиттерного перехода составляет 50 - 25 ом. [57]
Результаты подсчетов показывают, что тран-з и с т о р н ы и усилитель в схеме с общей базой имеет усиление по току меньше единицы, усиление по напряжению намного больше единицы. Входное сопротивление усилителя очень мало, так как оно определяется в основном сопротивлением эмиттерного перехода, смещенного в проводящем направлении, выходное сопротивление очень велико. [58]
Параметрический стабилизатор тока ( рис. 3.12, а) выполняется на транзисторе, включенном по схеме с ОБ. Эмиттерный ток транзистора I3 - UCTIR, поскольку обычно сопротивление резистора R значительно больше сопротивления эмиттерного перехода. Так как ток коллектора 1К / / 2 / э H2 [ UcTl & э не зависит от сопротивления нагрузки и входного напряжения, данная схема является стабилизатором тока. [59]
Благодаря использованию насыщенных транзисторов, а также потому, что напряжение отпирания почти не зависит от напряжения источника питания, частота колебаний мультивибратора мало зависит от изменений питающего напряжения. В то же время она сильно зависит от температуры, с повышением которой уменьшается сопротивление эмиттерного перехода закрытого транзистора, так как через него увеличивается движение неосновных носителей заряда. Это сопротивление, шунтируя резистор б, изменяет постоянную времени перезаряда конденсатора. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5