Сопротивление - эмиттерной переход
Cтраница 3
Авторы указывают, что в любом случае рано или поздно определяющую роль начинают играть омические падения напряжения на различных участках цепи эмиттер - база, так как сопротивление эмиттерного перехода с ростом тока монотонно падает. Что касается сопротивления Гбь то с увеличением плотности тока его вклад во входное сопротивление должен убывать, так как весь эмиттерный ток будет постепенно концентрироваться к краю эмиттера. [31]
Наиболее удобной для рассмотрения работы транзистора в области низких частот является Т - образная эквивалентная схема, показанная на рис. 5.4. Эта схема образована тремя сопротивлениями: сопротивлением эмиттерного перехода гэ, сопротивлением коллекторного перехода гк и сопротивлением базовой области гб. [32]
Шумовое сопротивление Кш, будучи включено в цепь базы идеального ( нешумящего) транзистора, создает на его выходе такой же шум, какой создается распределенным сопротивлением базы и сопротивлением эмиттерного перехода. [33]
Действие полупроводниковых микрофонов ( весьма мало распространенных) основывается на том, что под воздействием звукового давления на диафрагму скрепленное с ней острие, являющееся одновременно эмиттером полупроводникового триода, изменяет сопротивление эмиттерного перехода через него. Хотя полупроводниковые микрофоны с диафрагмой достаточно чувствительны, но они недостаточно стабильны и их частотные характеристики даже в сравнительно узком диапазоне частот неравномерны. [34]
Действие транзисторных микрофонов ( весьма мало распространенных) основывается на том, что под действием звукового давления на - диафрагму скрепленное с ней острие, являющееся одновременно эмиттером полупроводникового триода, изменяет сопротивление эмиттерного перехода через него. Хотя тран-зисторные микрофоны с диафрагмой достаточно чувствительны, но они недостаточно стабильны и их частотные характеристики даже в сравнительно узком диапазоне частот неравномерны. [35]
Если значения элементов гъ, Г (, гк и Г Э.с.т. определены путем соответствующих измерений транзистора, то эта схема является формальной и не следует, например, сопротивление гэ считать сопротивлением эмиттерного перехода транзистора. [36]
Теперь можно включать в выходную цепь значительные сопротивления без опасения вызвать инжек-цию через коллекторный переход Ч При этом можно получить значительную выходную мощность, а главное - усиление мощности, так как токи / э и / к почти одинаковы, а сопротивление нагрузки превышает сопротивление эмиттерного перехода. [37]
 |
Усилительные ступени с транзисторами и электронными лампами. [38] |
Полярность питающих напряжений такова, что эмиттерный переход работает в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. Сопротивление эмиттерного перехода мало, и поэтому для получения нормального тока через этот переход достаточно иметь у источника Е напряжение порядка десятых долей вольта. Зато сопротивление коллекторного перехода весьма велико, и напряжение Е2 для получения необходимых токов 1К обычно составляет единицы или десятки вольт. [39]
 |
Схемы включения транзистора.| Схема токопрохождения в транзисторе типа р-п - р. [40] |
Транзисторы применяют для разнообразных целей, основными из которых являются усиление и генерация электрических сигналов. Сопротивление эмиттерного перехода прямому току невелико, поэтому требуемую величину тока можно получить с помощью источника Ея с малым ( около 1 Е) напряжением. Обратное сопротивление коллекторного перехода, включаемого последовательно с нагрузкой RB, десятки-сотни килоом, поэтому напряжение Ен выбирают равным от единиц до десятков вольт. [41]
Эмиттерный переход дрейфового транзистора пробивается гари сравнительно малых обратных наиряжениях. Сопротивление эмиттерного перехода закрытого транзистора вследствие пробоя оказывается весьма малым. [42]
В процессе выключения структуры с катодным эмиттером, имеющем большие геометрические размеры, возникает ситуация, когда часть эмиттера смещена в прямом направлении, а часть - в обратном. Поскольку сопротивление эмиттерного перехода в той его части, которая смещена в обратном направлении, велико, то ток управления протекает, в основном, через прямосме-щенный участок перехода. Напряжение, которое прикладывается к переходу в обратном направлении, изменяется с координатой и становится максимальным у края эмиттера, граничащего с электродом управления. Оно равно падению напряжения на сопротивлении базы RU от протекания тока управления / у. С ростом / у напряжение возрастает и при определенном значении / у наступает пробой эмиттерного перехода у его края. [43]
 |
Движение электронов и дырок в транзисторах типа п-р - п и р-п - р. [44] |
Полярность их такова, что на эмит-терном переходе напряжение прямое, а на коллекторном переходе - обратное. Поэтому сопротивление эмиттерного перехода мало и для получения нормального тока в этом переходе достаточно напряжения Е в десятые доли вольта. Сопротивление коллекторного перехода велико, и напряжение Е2 обычно составляет единицы или десятки вольт. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5