Сопротивление - эмиттерной переход
Cтраница 2
В транзисторе с ОЭ сопротивление эмиттерного перехода т3 создает внутреннюю последовательную отрицательную обратную связь по току. К пояснению изме-лений нагрузки и источника сигнала, нения полярности усиливаемых При увеличении сопротивления нагруз - сигналов транзистором с ОЭ ки связь по току ослабляется, уменьшая тем самым входное сопротивление; при увеличении сопротивления источника сигнала ослабляется последовательная связь и уменьшается выходное сопротивление транзистора. [16]
 |
Характеристики плоскостного транзистора типа р-п - р. [17] |
К таким параметрам относятся сопротивления эмиттерного перехода гэ, коллекторного перехода гк и сопротивление базы гб переменному току. [18]
 |
Дифференциальный усилитель серии К1УТ221. а - схема. б - условное графическое обозначение. [19] |
С увеличением температуры уменьшается сопротивление эмиттерного перехода транзистора, поэтому ток транзистора возрастает, а положение рабочей точки на характеристике оказывается неустойчивым. Поэтому избыточный ток пройдет от источника Есы через диод, а режим работы транзистора стабилизируется. [20]
При включении с общим эмиттером сопротивление эмиттерного перехода гэ создает в транзисторе внутреннюю последовательную отрицательную обратную связь по току, увеличивающую входное и выходное сопротивления транзистора и изменяющую их при изменении сопротивлений нагрузки и источника сигнала. При увеличении сопротивления нагрузки связь по току ослабляется, уменьшая тем самым входное сопротивление; при увеличении сопро - рис 4g Изменение полярности усили. [21]
Входная цепь усилителя состоит из двух нелинейных резисторов - фотодиода и сопротивления эмиттерного перехода, включенных в прямом направлении. Для расчета такой цепи надо совместить вольт-амперные характеристики обоих нелинейных резисторов таким образом, чтобы оси напряжений этих характеристик лежали на одной прямой и были направлены встречно. В этом случае координаты точек пересечения вольт-амперных характеристик фотодиода и эмиттерного перехода изображают значения тока в цепи и падения напряжения на ее элементах. [22]
Напряжение на конденсаторе быстро достигает своего максимального значения UCmxnEK, так как сопротивление эмиттерного перехода насыщенного транзистора мало. [23]
 |
Зависимость гя от температуры при. [24] |
Резкое увеличение коллекторного тока может быть объяснено ростом эмиттерного тока вследствие уменьшения сопротивления эмиттерного перехода под действием температуры. [25]
Поскольку коллекторный переход смещен в обратном направлении, то его сопротивление на несколько порядков выше сопротивления эмиттерного перехода. В цепи коллектора, следовательно, может быть включено достаточно большое сопротивление нагрузки. [26]
В этом случае, при малых напряжениях ( несколько kT / q), когда сопротивление эмиттерного перехода велико, ток течет, в основном, через шунт. С ростом тока падение напряжения на шунте повышается, и при некотором его значении эмиттерный переход начинает инжектировать носители заряда из эмиттерного слоя в базовый. Сопротивление перехода становится меньше сопротивления шунта, и ток начинает протекать преимущественно через переход. Следует заметить, что шунтирование эмиттерного перехода стало одним из наиболее распространенных способов регулирования коэффициентов усиления по току транзисторов, составляющих тиристорную структуру. Это необходимо для улучшения некоторых ее характеристик. [27]
Увеличение сопротивлений нагрузки и источника сигнала приводит к ослаблению отрицательной обратной связи по току через сопротивление эмиттерного перехода гэ, являющегося элементом связи входных и выходных цепей в этой схеме. При этом уменьшаются и входное, и выходное сопротивления и нарушается согласование. [28]
Эмиттерный ток транзистора / э 11 / К, поскольку обычно сопротивление резистора R1 значительно больше сопротивления эмиттерного перехода. Увх, схема является стабилизатором тока. [29]
При этом можно получить значительную выходную мощность и усиление по мощности, так как токи 1Э и / к примерно одинаковы, а сопротивление нагрузочного резистора превышает сопротивление эмиттерного перехода. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5