Cтраница 1
![]() |
Характеристики преобразования пленочного магниторезисто-ра для двух значений угла а.| Характеристика тонкопленочного магниторезистивного преобразователя. [1] |
Многослойные структуры обозначают ( ФМ / НМ), где ФМ и - названия феррамагнитного и немагнитного металлов, п - число магнитных слоев. [2]
Многослойные структуры с тремя p - n - переходами называют тиристорами. Тиристоры с двумя выводами ( двухэлектродные) называются динисторами, а с тремя ( трехэлектродные) - тринисторами. [3]
![]() |
Многослойная структура с тремя р-п - переходами.| Структура части полупроводниковой ИМС. [4] |
Многослойные структуры с несколькими p - n - переходами получают, повторяя процессы, рассмотренные в предыдущем параграфе: окисление, формирование маски, диффузию донорнык или акцепторных примесей в микрообласти. [5]
![]() |
Печатные резисторы с.| Печатные конденсаторы с выводами в одном слое ( планарная конструкция ( а, б и в двух слоях ( конструкция металл - диэлектрик - металл, МДМ ( в. [6] |
Многослойная структура микроузлов является гетерострукту-рой. [7]
Эпитаксиальные многослойные структуры кремния, полученные сублимацией в вакууме. [8]
Наиболее многослойную структуру представляет собой ЭЛИ. Каждый из его слоев в зависимости от назначения может иметь существенно отличающиеся параметры, влияющие на его светотехнические характеристики. Поэтому в дальнейшем изложении в качестве примера применения общего метода анализа будем рассматривать именно ЭЛИ. [9]
Многослойную структуру квантовых ям, выращенную в МЛЭ-сис-теме, можно прекрасно видеть по их поперечным срезам, осуществляемым с помощью химического травления. Тонкие слои, срезанные перпендикулярно квантовым ямам, можно затем исследовать в просвечивающем электронном микроскопе ( ПЭМ) и изучать их слоистую структуру. Такой метод называется ПЭМом поперечного среза. Из рисунка также видно, что границы раздела между слоями являются очень резкими и имеют толщину порядка одного монослоя атомов. [10]
![]() |
Микрофотографии структур различных участков зон лазерного воздействия на сталь ШХ15 при плоскостной обработке. [11] |
Такая многослойная структура данной зоны обусловлена действием ряда факторов, к которым могут быть отнесены, в частности, повторная закалка, сверхскоростной высокий отпуск, перераспределение углерода и хрома между фазами, происходящее, возможно, в результате восходящей диффузии. [12]
Расслоение многослойной структуры возникает при использовании склеивающих прокладок с просроченным сроком годности или низким содержанием смолы, некачественной подготовке слоев перед прессованием, нарушении режимов прессования или механической обработке контура. Незначительное расслоение платы по углам может быть устранено эпоксидным клеем. [13]
![]() |
Зависимость коэрцитивной силы от толщины пленки. [14] |
Применение многослойных структур позволяет увеличить скорость переключения схемы. Скорость переключения измеряется методом поляризации света. [15]