Многослойная структура
Cтраница 3
Если материалы слоев многослойной структуры незначительно отличаются по теплофизическим свойствам, то эффективнее является контроль со стороны более тонких слоев. При больших значениях толщин слоев двуслойного изделия контроль необходимо осуществлять со стороны менее теплопроводного слоя. [31]
Эти материалы имеют многослойную структуру с подложкой из стекла или пленки Кронар i; нижняя их сторона покрывается проводящим слоем осажденных окислов олова или индия, напыленного золота или серебра. [32]
Резинотканевый материал имеет многослойную структуру, основу которой составляет капроновая ткань, пропитанная полиамидной смолой и покрытая сверху атмосферостойкой резиной, а снизу ( со стороны, соприкасающейся с нефтепродуктом) - маслобензостойкой резиной. [33]
ГМРЭ проявляется в многослойных структурах, в которых тонкие магнитные пленки чередуются с немагнитными слоями проводящих пленок, а также в гранулированных сплавах, изготовленных в виде пленок или проволок, содержащих ферро - или ферримагнитные частицы. Существование ГМРЭ базируется на том, что процессы рассеяния для одного направления спинов электронов проводимости действуют более эффективно, чем для другого, в зависимости от направления локальной намагниченности и при отсутствии эффективного процесса опрокидывания направления спинов. В таком случае, если соседние магнитные слои намагничены в противоположных направлениях, никакие электроны не могут проходить через два слоя, не испытывая большого рассеяния. Это и приводит к резкому повышению сопротивления магниторезистора. Если все магнитные слои намагничены в одном направлении, то половина всех электронов может свободно проходить через магнитные слои, что соответствует малому сопротивлению многослойной структуры. Преобразователи на основе ГМРЭ могут быть изготовлены в интегральном исполнении. [34]
ГМРЭ проявляется в многослойных структурах, в которых тонкие магнитные пленки чередуются с немагнитными слоями проводящих пленок, а также в гранулированных сплавах, изготовленных в виде пленок или проволок, содержащих ферро - или ферримагнитные частицы. Существование ГМРЭ базируется на том, что процессы рассеяния для одного направления спинов электронов проводимости действуют более эффективно, чем для другого, в зависимости от направления локальной намагниченности и при отсутствии эффективного процесса опрокидывания направления спинов. В таком случае, если соседние магнитные слои намагничены в противоположных направлениях, никакие электроны не могут проходить через два слоя, не испытывая большого рассеяния. Это и приводит к резкому повышению сопротивления мапшторезистора. Если все магнитные слои намагничены в одном направлении, то половина всех электронов может свободно проходить через магнитные слои, что соответствует малому сопротивлению многослойной структуры. Преобразователи на основе ГМРЭ могут быть изготовлены в интегральном исполнении. [35]
В органической кристаллохимии термин многослойная структура имеет следующий смысл. Так, например, группа Р2 с является двухслойной для нецентросимметрич-ных молекул, группы С2 / с и Pbca - четырехслойными. В этих случаях все слои связаны элементами симметрии группы, не входящими в состав слоевых островов. [36]
Как отмечалось выше, многослойные структуры образуются исключительно редко. [37]
 |
Характеристики различных солнечных элементов при освещении в условиях АМ-1 ( 100 мВт / см2.| Характеристики солнечных элементов. [38] |
Предполагается, что такая многослойная структура предотвращает диффузию индия и не снижает электрические и оптические свойства контакта в целом. На рис. 5.1.17 показано распределение олова и индия в двух образцах со структурой р a - SiC: H ( 100 А) / 8п02 / 0Ж ( 1000 А), в которых толщина Sn02 составляла 100 и 400 А. Из приведенных на рисунке данных следует, что при толщине слоя Sn02 400 А диффузия индия в р-слой полностью блокируется, в то время как при толщине слоя Sn02 100 А наблюдается незначительное содержание индия в р-слое. Для достижения высоких свойств достаточным является изменение толщины контакта от 200 до 400 А. [39]
 |
Характеристики различных солнечных элементов при освещении в условиях АМ-1 ( 100 мВт / см2.| Характеристики солнечных элементов. [40] |
Предполагается, что такая многослойная структура предотвращает диффузию индия и не снижает электрические и оптические свойства контакта в целом. На рис. 5.1.17 показано распределение олова и индия в двух образцах со структурой р a - SiC: H ( 100 А) / 8п02 / 0Ж ( 1000 А), в которых толщина SnO2 составляла 100 и 400 А. Из приведенных на рисунке данных следует, что при толщине слоя Sn02 400 А диффузия индия в р-слой полностью блокируется, в то время как при толщине слоя Sn02 100 А наблюдается незначительное содержание индия в р-слое. Для достижения высоких свойств достаточным является изменение толщины контакта от 200 до 400 А. [41]
Прототипом подобных систем является многослойная структура GaAs и GaAlAs, в которой слои GaAs чередуются с более толстыми слоями GaAlAs. Если толщина слоя GaAs меньше, чем длина свободного пробега электронов, то он ведет себя как двумерная ( 2D) потенциальная яма, содержащая газ свободных электронов. Это есть квантовая яма. Такие слои могут демонстрировать чрезвычайно высокую электронную подвижность и необычные эффекты, такие как квантовый эффект Холла. [43]
На рис. 3.2 приведена сложная многослойная структура материала для современных быстродействующих машин. [44]
Конденсаторы формируют в виде многослойной структуры на основе диэлектрических материалов: алюмосиликатного или боро-силикатного стекол, окиси германия или кремния. В качестве обкладок конденсатора служат пленки алюминия, иногда с подслоем титана. Для повышения удельной емкости необходимо увеличить число слоев в многослойной структуре. Однако выход годных и надежность конденсаторов при этом уменьшаются. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5