Cтраница 5
![]() |
Упрошенные формулы для расчета емкости и времени рассасывания. [61] |
Во всех остальных диодах, представляющих собой многослойные структуры, влияние паразитного транзистора сказывается настолько существенно, что без устранения их активного действия ( например, путем легирования золотом) невозможно уменьшить токи утечки, достигающие заметного значения. [62]
![]() |
Схема моделирования однородной структуры. [63] |
Как видно из предыдущего, анализ многослойных структур с распределенными параметрами может быть проведен, вообще говоря, путем решения краевой задачи для потенциала в резистивных слоях. Граничные условия принимаются на основании заданных конфигураций, питающих цепь электродов, и заданных значений потенциалов и токов в этих электродах. Для сложной формы структуры решение краевой задачи чрезвычайно затруднено и поэтому часто прибегают к моделированию процессов. [64]
![]() |
Перемещения в элементах системы. [65] |
На рис. 5.3 представлен основной фрагмент многослойной структуры длиной dx с действующими в нем внутренними усилиями, которые учитываются в одномерной задаче. Основные уравнения одномерной задачи, вообще говоря, можно получить с помощью предельных переходов, опираясь на уравнения, полученные в предыдущем разделе для плоского случая. Но проще поступить иначе, воспользовавшись одним из основных предположений о пограничном слое - тем, что его толщина мала, и получить уравнения непосредственно для одномерной модели. [66]
![]() |
Классификация методов контроля МПП. [67] |
Метод контроля, позволяющий предсказать поведение многослойной структуры в будущем, относится к прогнозирующему. [68]
В настоящее время разработано несколько модификаций многослойных структур, обладающих симметричной ВАХ с участками отрицательного сопротивления как на прямой, так и на обратной ветви. [69]
Пониженное сопротивление изоляции возникает вследствие проникновения внутрь многослойной структуры влаги или каких-либо растворов. Оно, как правило, является следствием плохого защитного изоляционного покрытия или значительного смещения слоев при сборке МПП. [70]