Полупроводниковая структура

Cтраница 1

Полупроводниковые структуры и микросхемы на их основе весьма чувствительны к состоянию поверхности. В результате взаи - - модействия поверхности полупроводников с кислородом, парами воды, кислотами и другими компонентами окружающей среды образуются разнообразные окислы, гидраты и другие соединения. Кроме того, существующие методы механической, химической и электрохимической обработок поверхности полупроводников приводят к нарушению кристаллической структуры и различным включениям. [1]

Полупроводниковые структуры эпитаксиально-планар-ных транзисторов в зависимости от требуемых электрических параметров отличаются как геометрическими размерами областей, так и распределениями концентраций примесей. [2]

Двухколлекторный транзистор. [3]

Полупроводниковая структура функциональной твердой схемы, выполняющей логическую операцию ИЛИ-НЕ показана на рис. 11.16, а. Она представляет собой комбинацию двух бинисторов, у которых объединены внешний слой n - типа и внутренний слой р-типа. Принципиальное отличие этой структуры от двухколлекторного транзистора, описанного выше, заключается в наличии дополнительных контактов у внутренних слоев я-типа и в иной схеме включения. Внешние слои р-типа заземлены, на общий слой n - типа подано отрицательное напряжение питания, контакты к внутренним слоям n - типа служат в качестве входов, а выходное напряжение снимается между контактом к. [4]

Схема образования четырех составляющих тока через р - п переход.| Распределение объемного заряда при различной концентрации свободных носителей в материалах р - и п-типа. [5]

Полупроводниковую структуру, состоящую из двух частей с различным типом проводимости, разделенных запорным слоем принято называть электронно-дырочным переходом, или сокращенно р-п переходом. [6]

Конструкции силовых приборов таблеточного типа.| Конструкции силовых транзисторов. [7]

Полупроводниковую структуру припаивают к основанию непосредственно либо с помощью молибденового или вольфрамового термокомпенсирую-щего диска. [8]

Энергетическая схема сверхструктуры ( мини-зоны заштрихованы. [9]

Простейшей полупроводниковой структурой является р - п-переход. Его получают, легируя образец так, чтобы в одной его Части преобладали донорные, в другой - акцепторные иримееи. [10]

Стоимость полупроводниковой структуры составляет 35ч - 45 % себестоимости силового вентиля, что объясняется дороговизной и низким коэффициентом использования кремния. [11]

Применение полупроводниковых структур позволяет существенно увеличить быстродействие, уменьшить массу, габаритные размеры и увеличить надежность работы ЗУ. [12]

Применение полупроводниковых структур позволяет существенно увеличить быстродействие, уменьшить массу, габаритные размеры и увеличить надежность работы ЗУ. В последние годы благодаря совершенствованию биполярных микросхем, а также расширению серий микросхем на МОП-структурах были созданы элементы статических ЗУ на биполярных, а также на р - и п-канальных МОП - и КМОП-транзисторах. [13]

Применение полупроводниковых структур позволяет существенно увеличить быстродействие, уменьшить массу, габаритные размеры и увеличить надежность работы ЗУ. В последние годы благодаря совершенствованию биполярных микросхем, а также расширению серий микросхем на МОП-структурах были созданы элементы статических ЗУ на биполярных, а также на р - и n - канальных МОП - и КМОП-транзисторах. [14]

Применение полупроводниковых структур позволяет существенно увеличить быстродействие, уменьшить массу, габаритные размеры и увеличить надежность работы ЗУ. В последние годы благодаря совершенствованию биполярных микросхем, а также расширению серий микросхем на МОП-структурах были созданы элементы статических ЗУ на биполярных, а также на р - и n - канальных МОП - и КМОП-транзисторах. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5