Полупроводниковая структура

Cтраница 2

Типовые полупроводниковые структуры полупроводниковых излучателей.| Варианты размещения активной области полупроводникового излучателя. [16]

На полученную полупроводниковую структуру наносят тонкий слой диоксида кремния, который служит пассивирующим покрытием. [17]

Структура биполярного транзистора / - - п-р-ти-па. / - эмиттерный р - - переход. 2-коллекторный р - л-переход. [18]

Представляет собой трехслойную полупроводниковую структуру с чередующимися слоями дырочной ( р-тип) и электронной ( n - тип) проводимости. [19]

Рассмотрим полупроводниковую структуру кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора ( рис. 4.4), которая характерна для большинства дискретных транзисторов. Поперечный разрез структуры показан на рис. 4.4, а. На сильнолегированной подложке 1 п - типа сформирован слаболегированный эпитаксиальный слой 2 n - типа толщиной W3n около 10 мкм. Методом диффузии примесей или ионным легированием созданы области базы 3 р-типа и эмиттера 4 п - типа. Металлические тонкопленочные слои 5, 6 к 7 образуют соответственно электроды эмиттера, базы и коллектора. [20]

В полупроводниковых структурах микроэлектроники часто область базы значительно меньше диффузионной длины L. В таких переходах инжектированные носители не успевают рекомбиниро-вать в базе, а достигают контакта с другой областью полупроводника или с металлом. [21]

Фотоэффект в плавком гетеропере-ходе. а - зависимость фототока от энергии.| Зонные диаграммы ггтерост-руктуры типа JV - - р - Р. в - в равновесии. б - при прямом смещении. Sf - уровень Ферми, g Ер.| Волновод-ный эффект в двойкой гстеро-структуре. к - показатель преломления узко-зонного слоя, п2 - широк озонных слоев. E ( z - зависимость интенсивности световой волны от координаты г. [22]

ГЕТЕРОСТРУКТУРА - полупроводниковая структура с неск. [23]

Технические данные приборов для контроля физико-механических свойств.| Технические данные вихретоковых измерителей удельной электрической проводимости. [24]

Параметры слоев полупроводниковых структур контролируются приборами, разработанными в Физико-энергетическом институте АН Латвии и выпущенными опытными партиями Экспериментальным электронно-механическим заводом этого института. [25]

При обработке полупроводниковых структур обнару живается наличие дефектов, вызываемых структурными дефектами в кремниевой пластине, проколами ( дефектами) в процессе фотолитографии, и других дефектов в результате многочисленных процессов нанесения сло в, связанных с недостатками технологии, оборудования. В общем случае считают, что все эти дефекты некорре-лированы. Плотность распределения дефектов различна, наименьшая плотность дефектов характерна для центра пластин, по краям плотность дефектов увеличивается. Плотность дефектов состоит из двух составляющих: плотности дефектов материалов и плотности технологических дефектов. Достаточно подробно данное явление рассматривается в учебных пособиях и монографиях по технологии интегральных микросхем. [26]

Для получения полупроводниковых структур с заданными параметрами необходимо знать характер распределения примесей в полупроводниковом материале, чтобы можно было точно управлять глубиной залегания р-л-перехода и создавать диффузионные слои с нужными свойствами. Характер распределения примесей согласно уравнению ( 27) различен в зависимости от условий, в которых протекает диффузия. Практически возможны два случая диффузии из источника: с неограниченным количеством примеси и с фиксированным количеством примеси. [27]

Такой разброс поверхностных полупроводниковых структур для силовых приборов не позволяет разрабатывать более высокие технологии их производства, с целью существенного повышения характеристик полупроводниковых структур с плоскими ( планарными) / 7-я-переходами и металлическими контактами к ним. [28]

Диаграмма для определения температуры нагрева полупроводниковой структуры при воздействии прямоугольного импульса мощности. [29]

Тепловые свойства полупроводниковой структуры СПП или СПП совместно с системой охлаждения характеризуются установившимся значением теплового сопротивления R. Это значение определяется как отношение разности температур полупроводниковой структуры прибора Гдп и корпуса Тк к потерям мощности ЛР, вызвавшим эту разность; K ( Tjm-ГК) / ЛР. Значения теплового сопротивления R для СПП обычно приводятся в информационных материалах. Надежность СПП определяется температурой Тт, которая не должна превышать допустимые нормы в любых режимах работы. Поэтому необходим расчет этой температуры по заданным значениям мощности потерь ЛР, теплового сопротивления R и температуры корпуса Тц. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5