Cтраница 5
Сплошной линейный сканистор представляет собой трехслойную полупроводниковую структуру с различными типами проводимости, вытянутую вдоль одной оси. [61]
Односторонняя проводимость тока в полупроводниковой структуре происходит вследствие образования на границе областей с электронной и дырочной проводимостью так называемого электронно-дырочного р-п-перехода. Рассмотрим процесс образования электронно-дырочного перехода и прохождение через него электрического тока. [62]
Для импульсных электронных устройств используются многослойные полупроводниковые структуры. [63]
ИМС степень влияния локальных дефектов полупроводниковой структуры на их надежность возрастает. [64]
Среди существующих методов неразрушающего контроля полупроводниковых структур и ИС выгодно отличается фотоэлектрический, основанный на зондировании лазерным лучом по поверхности исследуемой структуры с последующей обработкой выходных сигналов. Суть метода состоит в исследовании внутреннего фотоэффекта в полупроводниковых элементах ИС, а применение лазера вызвано необходимостью использования монохроматического источника, работающего на фиксированной длине волны. [65]