Полупроводниковая структура

Cтраница 4

Пассивация и герметизация полупроводниковых структур может осуществляться с помощью пленки стекла, содержащего 50 % окиси свинца, 40 % окиси кремния и 10 % окиси алюминия. [46]

При контактировании двух полупроводниковых структур, одна из которых обладает электронной, а другая дырочной электропроводностью, основные носители заряда ( дырки в р-области и свободные электроны в / области) проникают ( диффундируют) из одного слоя полупроводника в другой. [47]

Поток тепла от полупроводниковой структуры определяется рядом внутренних факторов: теплопроводностью, формой и размерами кристалла, качеством соединения кристалла с основанием, теплопроводностью материала основания, формой и размерами основания прибора, а также тепловым сопротивлением выводов. [48]

Электронные процессы в полупроводниковых структурах в значительной мере определяются дефектами в объеме и на поверхности полупроводника, а также на межфазных границах полупроводника с металлом и диэлектриком. [49]

Печатная антенна резона-торного типа с линейной поляризацией. [50]

Альтернативной гибридному способу является полупроводниковая структура, в которой компоненты сформированы в поверхностном слое пластины. Хотя техника полупроводниковых интегральных антенн еще не развита на практике, этот способ целесообразно рассмотреть с учетом больших потенциальных достоинств и перспективности. [51]

Рассмотрены требования к параметрам полупроводниковой структуры для сканистора с непрерывной базой, а также методика создания сканистора в промышленном исполнении диффузией А1, В, Аи. Изготовленные сканисторы обладают удовлетворительными параметрами при хорошей воспроизводимости. [52]

Образование р - п-перехода точечно-контактным методом. [53]

Так называют метод изготовления полупроводниковых структур осаждением эпитаксиальных слоев на подложку из полупроводникового материала. Слово эпитаксиальный образовано из двух греческих слов, означающих над и располагать. Для образования р-я-перехода тип проводимости осаждаемой пленки должен быть противоположен типу проводимости подложки. Если осаждается пленка кремния, то атомы свободного кремния и легирующих примесей, попадая на монокристаллическую подложку, перемещаются по поверхности до тех пор, пока не займут правильное положение в кристаллической решетке; отдельные узлы решетки в эпитаксиальной пленке оказываются занятыми атомами примеси. Осажденная пленка считается эпитаксиальной, если оси ее кристаллической решетки являются продолжением осей решетки подложки. Эпитаксиальный процесс хорошо поддается управлению и контролю. [54]

Вт / см2 площади полупроводниковой структуры при допустимом превышении рабочей температуры над температурой окружающей среды, составляющем обычно 80 - 90 С. Снижение рабочей температуры перехода на 10 С увеличивает надежность СПП практически на один порядок. [55]

Рассмотрим назначение основных областей полупроводниковой структуры транзистора и его принцип действия ( принцип усиления) на примере простейшей одномерной модели, представленной на рис. 4.2, а. В этой модели р-п-переходы считаются плоскими, а носители движутся только в одном направлении - вдоль оси х, перпендикулярной переходам. [56]

Загрязняющие примеси поступают в полупроводниковую структуру в основном через адсорбцию при химической обработке и из атмосферы при транспортировке и хранении. Адсорбированные примеси распределены в основном в приповерхностном слое. Миграция примесейв Si02 значительно выше, чем в Si, особенно это касается щелочных металлов. [57]

Форма напряжения на вентиле при измерении dua / dt. [58]

ИВ, который нагревает полупроводниковую структуру до температуры, близкой к номинальной. [59]

Активная часть прибора включает однородную полупроводниковую структуру / г-типа и два контакта - катодный и анодный. Другие части прибора обозначены на рис. 4.5 так: 1-контактный слой, 2-подложка (), 3 - активный слой - полупроводник (), 4 - анод, 5 - катод, 6 - теплоотвод, 7 - колпачок, 8 - керамический изолятор. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5