Полупроводниковая структура

Cтраница 3

Термотиристор представляет собой четы-рехслойную полупроводниковую структуру ( рис. 5.21, а), предназначенную для использования в качестве термочувствительного элемента. [32]

Структурные схемы транзисторов. [33]

Транзистор представляет собой трехслойную полупроводниковую структуру, которая создается в одном монокристалле путем введения акцепторных или донорных примесей. [34]

Это объясняется полупроводниковой структурой катода. При освещении катода вследствие протекания тока вдоль его поверхности по направлению к выводу потенциал точек катода по мере удаления от вывода изменяется. Рассматриваемая точка катода приобретает тем больший положительный потенциал по отношению к выводу, чем дальше она удалена от него и чем больше фототок. При этом часть электронов возвращается обратно на положительно заряженные участки катода, вызывая вторичную эмиссию. Вследствие вторичной эмиссии анодный ток получается больше тока в фотоэлементе с катодом на металлической подложке. [35]

Устройство электровакуумных фотоэлементов. [36]

Это объясняется полупроводниковой структурой катода. [37]

Как правило, полупроводниковые структуры с р - n - переходом ( называемые кристаллом) имеют правильную геометрическую форму: параллелепипеда, куба, цилиндра; р - n - переходы располагаются в них параллельно одной из плоскостей. Размер р - - перехода равен размеру основания структуры. Применение меза-технологии позволяет получить структуру ( рис. 39) с малым размером р - n - перехода без изменения размера основания структуры. Ее получают вытравливанием части полупроводникового материала с р-п-переходом. [38]

Структуры и внешние цепи транзисторов. [39]

Основой транзистора является трехслойная полупроводниковая структура, в которой чередуются слои с р-и n - типами электропроводности. [40]

Основу тиристора составляет четырехслойная полупроводниковая структура типа р-п-р-п ( рис. 12 7, б), образующая три 7-н-пе - рехода ( 77j, Л2, П), включенных последовательно. [41]

Типичное устройство сплавного р-п - р транзистора. [42]

Для получения таких полупроводниковых структур разработан ряД методов их изготовления. Существуют следующие типы транзисторов, отличающиеся технологией их изготовления. [43]

Эволюция основных показателей микроэлектронной технологии ( диаметр полупроводникового диска, площадь поверхности кристалла, ширина элементарной структуры и степень интеграции через интервалы в 10 лет. Цифровые данные-ориентировочные. ( Масштаб выдержан только в горизонтальном направлении. [44]

Поскольку вертикальные размеры полупроводниковых структур определяются толщиной различных слоев, равной 1 мкм и менее, таким путем можно формировать очень короткие каналы. Рассмотрение элементов обоих типов показывав. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5