Транзисторная структура

Cтраница 2

В транзисторных структурах изоляция осуществляется с помощью диффузии, проводимой одновременно с диффузией базы. К изолирующему р-слою и эпитаксиаль-ному n - слою прикладывается такое обратное напряжение, при котором область пространственного заряда p - n - перехода распространяется через эпитаксиальный слой к подложке. Для изготовления структуры требуется четыре операции фотолитографии. [16]

В реальных транзисторных структурах области р и рч электрически связаны и ток IGI, протекающий от pi к ра, является током управляющего электрода n - p - nz-p 2 структуры. Этот ток переводит последнюю в состояние с высокой проводимостью. [17]

Конструкция транзистора с кольцевым коллекторным электродом. [18]

Хотя изготовить транзисторные структуры с кольцевыми коллекторами очень сложно, улучшение выходных характеристик при этом может быть получено весьма значительное. [19]

Выше рассматривались транзисторные структуры с эмиттером, сформированным вблизл поверхности. Использование скрытого п - слоя в качестве эмиттера возможно, однако если при этом база сформирована диффузией бора сверху, распределение концентрации примеси в базе оказывается неблагоприятным, так как для электронов, инжектированных из скрытого эмиттера, электрическое поле в базе, вызванное градиентом концентрации примеси, является тормозящим. На рис. 2.8 показано распределение концентрации примеси в структуре со скрытым эмиттером и ионно-легированной базой. [20]

Возможные варианты использования различных областей транзисторной структуры в качестве резистивных слоев для форми рования диффузионных резисторов полупроводниковой интегральной микросхемы ( а, б, в и некоторые варианты конфигурации резистивного слоя и электродов резистора ( г, д. [21]

Коллекторная область транзисторной структуры содержит наименьшую концентрацию примесей. [22]

Пятислойная структура тонкопленочного транзистора ( а и ее энергетическая диаграмма в транзисторном режиме ( б.| Трехслойная структура пленочного транзистора ( а и ее энергетическая диаграмма в состоянии теплового равновесия ( б, при подаче смещения на коллектор ( в и в транзисторном режиме (. [23]

Другой пример транзисторной структуры показан на рис. 10.11, а. Эта структура состоит из двух слоев полупроводника, разделенных тонкой металлической пленкой. Контакты между пленкой и полупроводниками выпрямляющие. [24]

Коллекторная область транзисторной структуры содержит наименьшую концентрацию примесей. Поэтому коллекторная область вообще пригодна для формирования диффузионных резисторов с большим сопротивлением, но из-за малой концентрации примесей температурные коэффициенты сопротивления таких резисторов велики. [25]

Рассмотрим состояние транзисторной структуры Гм11, состоящей из эмиттера Э1, базы и коллектора транзистора Тм. [26]

При создании транзисторных структур методом сплавления в однородный исходный кристалл полупроводника вплавляются электродные заготовки - шарики, пластинки или кусочки проволочки из металла или сплава, содержащего в необходимом количестве добавки, используемые для легирования полупроводника. Процесс сплавления представляет собой образование однофазного многокомпонентного жидкого раствора при нагреве двух или более твердых фаз, находящихся в контакте друг с другом. Образование сплавного электронно-дырочного перехода происходит следующим образом. [27]

Зависимость предельного тока мощных кремниевых сплавных п-р - п транзисторов от периметра эмиттера ( по данным [ Л. 3 - 24 ]. [28]

При создании транзисторных структур с золотыми электродами, имеющими малую толщину и, следовательно, малую глубину вплавления в кремний, пришлось преодолеть значительные затруднения, связанные с обепечением равномерного смачивания кремния по большой площади. Это было по всей видимости достигнуто за счет тщательной очистки и подготовки пластин кремния и золотых электродов и за счет обеспечения равномерного прижатия электродов к кремнию в процессе вплавления. Надо отметить, что золотые электроды в рассматриваемых транзисторах имеют большую площадь. Для такого периметра эмиттера рабочий ток достигает 40 а. На рис. 5 - 7 показана зависимость предельного тока в рассматриваемых приборах от периметра эмиттера. Различные точки соответствуют работе эмиттерных колец, взятых в отдельности или включенных параллельно. [29]

Возможные варианты использования различных областей / транзисторной структуры в качестве резистивных слоев для формирования диффузионных резисторов полупроводниковой интегральной микросхемы ( а, б, в и некоторые варианты конфигурации резистивного слоя и электродов резистора ( г, д. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5