Транзисторная структура

Cтраница 5

Вид сверху структуры интегрального эпитаксиально-планарного транзистора с одним ( а и двумя ( б базовыми вы. [61]

Минимальные горизонтальные размеры областей транзисторной структуры определяются точностью изготовления и совмещением масок, а также влиянием боковой диффузии. [62]

Одну из крайних областей транзисторной структуры создают с повышенной концентрацией примесей, используют в режиме инжекции и называют эмиттером. Среднюю область называют базой, а другую крайнюю область-коллектором. Два перехода БТ называются эмиттерным и коллекторным. [63]

Одну из крайних областей транзисторной структуры легируют сильнее; ее используют обычно в режиме инжекции и называют эмиттером. [64]

Структура электронно-дырочного перехода приборов П401 - П403. [65]

Диффузия примесей при получении транзисторных структур осуществляется несколькими различными способами. На одной пластинке германия одновременно изготовляют около 200 структур, а затем разрезают ее на отдельные приборы. В качестве материала применяют германий р-типа с удельным сопротивлением 0 65 ом - см. Слой л-типа получают путем диффузии сурьмы, а эмиттерный слой р-типа путем вплавления и рекристаллизации индия с добавкой галлия и сурьмы. При вплавлении такого сплава одновременно идет диффузия сурьмы в слой полупроводника - типа. [66]

В зависимости от типа транзисторной структуры различные члены этой суммы могут играть более или менее существенную роль. [67]

Страницы: 1 2 3 4 5