Транзисторная структура

Cтраница 3

Коллекторная область транзисторной структуры содержит наименьшую концентрацию примесей. [31]

Структура ( а и эквивалентная схема ( в транзистора с инжекционным питанием.| Структура транзистора с иижск-ционным питанием и с инжектором в глубине кристалла. [32]

Технология изготовления транзисторных структур очень проста - требуется всего две диффузии. [33]

По типу транзисторных структур логические ИМС делятся на два больших класса: схемы на основе биполярных структур и схемы на основе МДП-структур. [34]

Если в готовой транзисторной структуре не имеется достаточной защиты от влияния загрязнений на ее поверхности, то могут применяться различные меры по предохранению транзистора от воздействий, нарушающих стабильность его параметров. На поверхность структуры могут наноситься пленки специальных кремний-органических лаков. Защитная пленка двуокиси кремния может создаваться на поверхности транзисторной структуры и после проведения основных термических ( диффузионных) процессов путем катодного ( реактивного) распыления кремния в атмосфере кислорода, анодного окисления ( в кремниевых приборах) или пиролити-ческого разложения силанов при не слишком высокой температуре. Для защиты могут использоваться пленки не только двуокиси кремния, но и специальных стекол, имеющих достаточно низкую температуру плавления и коэффициент теплового расширения, близкий к коэффициенту расширения полупроводника. [35]

Кристаллы с транзисторными структурами напаивают мягким припоем в водородной печи на кристаллодержатели, которые затем точечной сваркой соединяют с ножками корпусов. [36]

Технология изготовления эпи-таксиально-планарных кремниевых транзисторов. [37]

Пластины с транзисторными структурами разрезают на скрайберном станке алмазной иглой на кристаллы. Кристаллы напаивают в водороде на ножку, после чего методом термокомпреосии присоединяют алюминиевые или золотые выводы диаметром 25 - 30 мк к эмит-терному и базовому контактам и соответствующим выводам ножки. [38]

Большая интегральная схема при сильном увеличении. [39]

Таким образом получаются транзисторные структуры, занимающие на поверхности полупроводниковой пластинки площадь, меньшую, чем поперечное сечение человеческого волоса. Однако в них еще отсутствуют контакты и соединения. Выводы и соединения образуются металлизацией поверхности пластинки в соответствующих местах. В качестве проводящего материала обычно используется алюминий, отличающийся. Применяется и золото, но оно, помимо высокой стоимости, обладает худшей адгезией. [40]

В ИМС используют планарные и мезапланарные транзисторные структуры. Так как технологические циклы изготовления элементов с изоляцией p - n - переходом и диэлектрической пленкой несколько отличаются, рассмотрим эти циклы в отдельности. [41]

Целям герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. [42]

Гистограмма распределения величин остаточных напряжений для 50 образцов партии планарных кремниевых транзисторов в инверсном включении при токе коллектора, равном нулю. [43]

Для получения двух транзисторных структур, обладающих близкими величинами остаточных напряжений, было проведено исследование распределений величин остаточных параметров на кремниевых планарных пластинах. [44]

Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их использование в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуатации. Необходимо помнить, что корпуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами рекомендуется покрывать лаком не менее, чем в три слоя. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5