Транзисторная структура

Cтраница 4

Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их использование в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуатации. Необходимо помнить, что корпуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя. [46]

Целям герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. [47]

Для диодных соединений транзисторной структуры по способам а, б к г предельное напряжение ограничивается напряжением эмиттерного перехода. Величина его обычно составляет 5 - МО В. Напряжение пробоя перехода коллектор - база для диодного соединения транзистора по способам в и д составляет 30 - н50 В. [48]

Сечение ( а и вид сверху ( 6 типичного диффузионного резистора. [49]

Поскольку для изготовления транзисторной структуры требуется большое количество высокотемпературных процессов, резистивный элемент может быть получен одновременно с какой-либо из областей транзистора. В практических случаях, как было отмечено ранее, резистор чаще всего формируют на базовом слое транзисторной структуры. Следует, однако, отметить, что эмиттерный слой можно применять при формировании низкоомных термостабильных резисторов. [50]

Среди методов изготовления транзисторных структур имеется большое количество и комбинированных - таких как сплавление н диффузия или сочетание различных вариантов диффузии. [51]

Рассматривается двухмерная модель инспекционной транзисторной структуры, которая применима к инспекционным элементам с полосковой геометрией или с охранной л - областью, препятствующей растеканию неосновных носителей ( дырок) в коллекторе в иных направлениях, кроме как к базе вертикального транзистора. [52]

Трудности при создании транзисторных структур большой площади могут быть связаны как с различными нарушениями, имеющимися в исходном полупроводнике, так и с дефектами, возникающими в полупроводниковых структурах в процессе их изготовления. [53]

Создание контактов к транзисторным структурам сравнительно несложно в сплавных транзисторах. Там роль коллекторного и эмиттерного контактов выполняют сами электродные заготовки или, вернее, те застывшие капли металла или эвтектики, которые образуются после сплавления. Для создания невыпрямляющего базового контакта обычно используется также сплавление, которое часто проводится одновременно с созданием эмиттерной и коллекторной областей. [54]

Токи в транзисторе. [55]

Физические процессы в транзисторной структуре определяются состоянием эмиттерного и коллекторного переходов. При этом все положения, рассмотренные ранее для единичного р-и-перехо-да, справедливы для каждого из р-и-переходов транзистора. [56]

На рис. 1 изображена транзисторная структура со сплавнодиффузионным кольцеобразным эмиттером. Металлический сплав и все электроды стравлены в соляной кислоте. Электрический контакт к эмиттеру осуществляется прижимом иглы к рекрослою. Контакт к коллектору - через медный пьедестал, на котором лежит кристалл. Пузырек газообразного ацетона указывает место объемной закоротки коллектор - эмиттер, возникшей в результате теплового шнурования тока. [57]

Основу биполярного транзистора составляет транзисторная структура с двумя взаимодействующими р-п-переходами, обладающая усилительными свойствами, обусловленными явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. [58]

Настольная установка гидромеха - [ IMAGE ] Настольная установка групповой нической обработки поверхности пластин химической обработки поверхности кремниевых пластин. [59]

Одним из способов создания транзисторных структур, из которых формируются активные и пассивные компоненты, является эпи-таксиальное наращивание пленок. Эпитаксиальный метод наращивания пленок на поверхности полупроводниковых подложек широко используют при производстве интегральных микросхем. Эпитаксиальные слои позволяют существенно улучшить ряд параметров транзисторов и диодов. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5