Cтраница 1
Тонкопленочные схемы, в которых используются навесные активные элементы, называют гибридными интегральными микросхемами. [1]
Тонкопленочные схемы образуются при осаждении на стеклянную или керамическую пластины специфических рисунков металлической и диэлектрической пленки посредством вакуумного напыления, катодного распыления или химическим способом. Рисунки могут быть образованы посредством осаждения через маски или посредством осаждения сплошного листа с последующим селективным травлением. [2]
Тонкопленочная схема - миниатюрный узел радиоэлектронной аппаратуры, выполненный путем нанесения через маски тонких слоев проводящих и изолирующих веществ на поверхность керамической или стеклянной подложки. Для образования соединительных проводников и обкладок конденсаторов используются золото, медь, алюминий. Некоторые вещества наносятся путем электролитического или химического осаждения из раствора. [3]
Тонкопленочные схемы состоят из пассивных элементов - резисторов, конденсаторов, проводников. В настоящее время известны разнообразные методы нанесения тонкопленочных схем, к числу которых относятся методы испарения и катодного распыления материала в вакууме. Известно также направление под названием электронной микротехнологии, позволяющее создавать схемы с помощью электронного луча. Тонкопленочные микроэлектронные узлы обладают малым уровнем шумов и хорошими высокочастотными свойствами. [4]
Тонкопленочная схема состоит из изоляционного основания ( стекло, керамика и др.), на котором методом испарения в вакууме нанесены пленки различных материалов, образующие пассивные элементы схемы-резисторы и конденсаторы. Электрические соединения между этими элементами осуществляются также путем нанесения тонких пленок с большой проводимостью. Таким методом удается получить резисторы с величиной сопротивления от тысячных долей ома до нескольких мегом и конденсаторы с емкостью от единиц пикофарад до микрофарад. Характерной особенностью тонкопленочных элементов является их высокая температурная стабильность и низкий коэффициент старения. Особенности тонкопленочной технологии позволяют получать резисторы как с положительным, так и с отрицательным температурным коэффициентом. [5]
Тонкопленочная схема состоит из изоляционного основания ( стекло, керамика и др.), на котором методом испарения в вакууме нанесены пленки различных материалов, образующие пассивные элементы схемы-резисторы и конденсаторы. Электрические соединения между этими элементами осуществляются также путем нанесения тонких пленок с большой лроводимостью. Таким методом удается получить резисторы с величиной сопротивления от тысячных долей ома до нескольких мегом и конденсаторы с емкостью от единиц пикофарад до микрофарад. Характерной особенностью тонкопленочных элементов является их высокая температурная стабильность и низкий коэффициент старения. Особенности тонкопленочной технологии позволяют получать резисторы как с положительным, так и с отрицательным температурным коэффициентом. [6]
![]() |
Устройство микромодуля. [7] |
Тонкопленочные схемы выполняются на подложке ( пластине диэлектрика из стекла или керамики), на которой путем напыления или электрического осаждения различных материалов образованы отдельные элементы схемы и соединения между ними. [8]
Тонкопленочные схемы состоят из тонких пленок проводящего или изоляционного материала, нанесенного на стеклянную или керамическую подложку, с помощью которых образуются пассивные элементы и контактные поверхности. Пока не существует удовлетворительных методов получения необходимых значений индуктивности с помощью тонко-пленочной технологии. [9]
Тонкопленочные схемы значительно больше по своим размерам изготавливаемых в настоящее время интегральных схем. [10]
Тонкопленочная схема состоит из изоляционной подложки, на которую наносят тонкопленочные резисторы, конденсаторы, металлические проводники индуктивности и контактные площадки. [11]
Тонкопленочные схемы характеризуются относительно низкой стоимостью, но уступают по размерам 13.22, Тонкопленочнап микросхема полупроводниковым микросхемам. [12]
Тонкопленочные схемы с перевернутыми кристаллами обладают очень высокой надежностью. В этих схемах устранены все перемычки, за исключением идущих к выходным проводникам. Основной проблемой является соединение контакта кристалла с тонко-пленочными проводниками. [13]
Тонкопленочные схемы изготовляются путем вакуумного напыления ( или катодного распыления) материала на подложку, выполняющей функции механической опоры. В качестве подложки обычно используется керамика, кварц или стекло. Как сами элементы, так и соединения между ними выполняются в процессе изготовления схемы. [14]
Тонкопленочные схемы изготовляются путем вакуумного напыления ( или катодного распыления) материала на подложку, выполняющую функции механической опоры. В качестве подложки обычно используются керамика, кварц или стекло. Как сами элементы, так и соединения между ними выполняются в процессе изготовления схемы. [15]