Тонкопленочная схема

Cтраница 2

Топология тонкопленочной схемы рассчитывается с учетом всех необходимых параметров для оптимального расположения активных элементов. [16]

Резисторы тонкопленочных схем образуются в процессе напыления металлов или других токопроводящих веществ обычно на ситалловую подложку. Их конфигурация определяется топологией ( размещением и размерами) резистивного слоя масок, через окна которых проводится напыление. Используется как вакуумное термическое напыление, так и катодное распыление. [17]

Электрическая схема ( а и топология микросхемы ( б при однослойном расположении элементов. [18]

Элементы тонкопленочных схем могут располагаться в один или несколько рядов. [19]

Зависимость линейного расширения различных материалов для подложек и пленок от температуры. [20]

Температура тонкопленочных схем или компонентов увеличивается пропорционально приложенной электрической мощности. [21]

В тонкопленочных схемах достигается значительно более высокая плотность размещения деталей, чем в микромодульных. Кроме того, тонкопленочные элементы допускают возможность их изготовления по заданным номиналам и характеристикам с высокой степенью точности. Параметры тонкопленочных элементов мало изменяются в зависимости от внешних условий. Производство тонкопленочных схем допускает высокую степень автоматизации. [22]

В тонкопленочных схемах ( толщина пленки 1 - 2 мкм) активные и пассивные элементы изготовляют путем нанесения тонких диэлектрических и резистных пленок на общую пластину. Такие схемы имеют высокую степень интеграции, но пленочные элементы обладают сравнительно низкими значениями электрических параметров. [23]

Конструктивное исполнение тонкопленочных схем: / - тонкопленочная плата; 2 -печатная плата; 3 - чередующиеся тонкопленочные платы; 4 - печатная плата; 5 - межплатный соединитель; б - тонкопленочная плата с контактными штырьками; 7 - теплорассеивающая плата; 8 - матрица с вваренными проводниками; 9 - штыри разъема; / fl - тонкопленочная плата; / / - присоединение тонкопленочной платы к выводам матрицы; 12 - штыри разъема; 13-контактные участки; 14 - тонкопленочная плата; 15 - штырьки выхода; 16 - плата с гнездами; 17 - плата с направляющими. [24]

Изготовление биметаллической маски электроформовкой и травлением. [25]

Для изготовления тонкопленочных схем можно применять описанные выше химические методы травления. [26]

Подложки для тонкопленочных схем ( ТПС) могут быть выполнены из стекла, керамики и пластмассы. При выборе материала учитывают различные факторы. Например, если разрабатывается ТПС, в которой как пассивные, так и активные элементы реализуются напылением в вакууме, то все элементы и соединительные проводники необходимо расположить на одной стороне подложки. Поэтому свойства поверхности последней должны соответствовать характеристикам различных компонентов. Если в схеме применены навесные дискретные элементы, материал подложки должен обеспечивать достаточную прочность. В некоторых случаях подложка может быть использована в качестве диэлектрического материала для пленочных конденсаторов схемы. В зависимости от рассеиваемой мощности необходимо учитывать теплопроводность подложки. [27]

Конструкция тонкопленочного транзистора. [28]

Потенциальные возможности тонкопленочных схем в значительной степени не используются из-за отсутствия тонкопленочных активных приборов, которые можно создавать вакуумным напылением на изолирующие подложки с помощью технологии, применяемой для изготовления тонкопленочных схем. В значительной степени разрешает эти затруднения тонкопленочный полевой транзистор. Все элементы этого прибора, включая полупроводниковый слой, наносятся на диэлектрическую подложку методом вакуумной конденсации и могут изготовляться в пленочных схемах в едином технологическом цикле с резисторами и конденсаторами. [29]

Схема компоновки гибридной схемы с многослойной. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5