Тонкопленочная схема

Cтраница 4

Существуют различные варианты конструктивного исполнения тонкопленочных схем. На рис. 12.28 показана модульная конструкция. [46]

В качестве изоляционной подложки для тонкопленочных схем применяют стекло, керамику, ситалл. Наиболее распространенным материалом является глазурованная окись алюминия. Обычно применяют подложки прямоугольной или квадратной формы с размерами 12x8; 12x12; 12x16; 12x20; 24x30; 48x60 мм; толщина их при этом 0 6; 1 0; 1 6 мм. Преимущественно используют большие по размеру подложки; например 50x50 и 100 X 100 мм, на которых возможно осаждение большого количества схем с последующим их разделением. [47]

Тонкопленочный транзистор. а - структура. 6 - энергетические диаграммы. [48]

Получение тонкопленочных активных элементов позволяет получить полную тонкопленочную схему. За последнее время были разработаны различные типы тонкопленочных транзисторов ( биполярные, полевые, туннельные), но все они не вышли из - стадии лабораторных исследований, так как имеют низкую стабильность и плохо контролируемые свойства. [49]

Эти варианты обеспечивают высокую точность воспроизведения элементов тонкопленочной схемы. [50]

Для получения точных масок, используемых при изготовлении тонкопленочных схем, необходимо иметь пересъемочные фотокамеры и высокодисперсные эмульсии. Высококачественные, с резким изображением негативы могут быть получены с помощью прецизионных фотообъективов, имеющих разрешающую способность 1800 линий / мм, для использования их со спектроскопическими фотопластинками с разрешающей способностью 2000 линий / мм. [51]

Существует несколько конструкций, в которых используются сочетания тонкопленочных схем с гибкими печатными платами. [52]

Применяют также термин гибридная микросхема в случае, когда тонкопленочная схема содержит навесные элементы. [53]

При выборе подложек для таких практических применений, как тонкопленочные схемы, физические и химические свойства не являются единственными предпосылками, а существенную роль также играют экономические соображения. Стоимость подложки может составлять значительную часть общей стоимости законченного модуля. В дополнение к типу материала, факторами, влияющими на стоимость подложки, являются ее требуемые размеры и допуски, число проверяемых подложек и стоимость таких дополнительных операций, как контроль, очистка и разделение. [54]

В производстве печатных плат, некоторых толсто - и тонкопленочных схем формирование сплошных пленок ре-зистов вызывает затруднение. Поэтому с начала 1970 г. с этой целью применяют пленочные фоторезисты, впервые выпущенные фирмой Dupont ( США) под маркой Riston. Для их производства на полиэтилентерефталатную пленку наносят слой резиста толщиной более 20 мкм, высушивают и прикатывают сверху пленку полиэфира. Перед употреблением резиста пленку снимают, резист прикатывают к подложке нагретым валком, дают небольшую релаксационную выдержку, экспонируют через слой терефталата, кратковременно нагревают, снимают полиэтилентерефталат, проявляют и проводят термоотверждение рельефа. В зависимости от типа резиста его проявляют водой или органическим растворителем. Очевидно, резистный слой такого материала должен быть гибким, эластичным, олеофильным, термостойким, обладать хорошей адгезией. Пленочные резисты чаще всего относятся к фотополимерным негативным материалам, разрешение при их использовании составляет десятки микрометров. Однако разработаны и позитивные резисты. Для получения такого материала 4-сульфодиазонафталиноном этерифицируют сополимер алкилметакрилата и 10 % гидроксиэтилметакрилата, или на 10 % гидролизованный ПВА, или высокомолекулярный ПВС [ пат. США 4197128 ]; НС совмещают с различными полимерами: полиэтилакрилатом, полибутилметакри-латом, сополимером винилацетата и кротоновой кислоты и др. Резисты на такой основе используют как маски при травлении, например медной подложки РеСЦ, как гальванорезисты [ пат. [55]

Сравнительно сложной проблемой является проблема получения высокоточных масок для изготовления тонкопленочных схем. [56]

Применение фотолитографии снимает много ограничений в отношении сложности конфигурации элементов тонкопленочной схемы. Этот способ является достаточно высокопроизводительным и создает наилучшие условия для производства резисторов с малыми погрешностями ( 15 % - ный разброс без подгонки резисторов) и высоким выходом годных. Это обусловлено тем, что, во-первых, на подложку наносят сплошные пленки материалов, что создает благоприятные условия для равномерного формирования слоев; во-вторых, когда резистивный слой получен с некоторыми отклонениями от заданного значения удельного сопротивления, можно применять набор компенсирующих фотошаблонов для изготовления резисторов. Последнее совершенно исключено в случае применения свободных и контактных масок; в-третьих, исключение процесса изготовления масок, маскодержателей и процесса совмещения под колпаком вакуумной установки ускоряет и удешевляет изготовление ИМС. Это особенно заметно, когда вместо нескольких масок и соответствующего числа напыления при изготовлении, например, сложных проводников, применяют одно напыление и один фотошаблон для процесса фотолитографии. [57]

Толщина слоев фоторезиста, которая применяется на практике для вытравливания тонкопленочных схем, изменяется от 0 3 до примерно 2 мкм. Тонкие покрытия фоторезистом KTFR, толщиной 0 3 - 0 5 мкм, в основном создают достаточно хорошие защитные рельефы для вытравливания, однако не во всех случаях. [58]

Зависиморть времени травления от времени напыления пленки. [59]

Применение двух фотолитографий снимает много ограничений по сложности конфигурации элементов тонкопленочной схемы. Этот способ является достаточно высокопроизводительным и создает наилучшие условия для производства резисторов с малыми погрешностями ( 15 % - ный разброс без подгонки резисторов) и высоким выходом годных. Это обусловлено тем, что, во-первых, когда на подложку наносят сплошные пленки материа - с лов, это создает благопри - ятные условия для равномерного формирования слоев; во-вторых, когда рези-стивный слой получен с некоторыми отклонениями от заданного значения удельного сопротивления, можно применять набор компенсирующих фотошаблонов для изготовления резисторов. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5