Температура - подложка
Cтраница 1
Температура подложки в процессе напыления в зависимости от метода напыления и напыляемого материала может меняться в пределах 150 - 600 С. [1]
Температура подложки, кроме рассмотренных выше факторов, зависит также и от режимов работы испарителя: размеров его излучающей поверхности, рассеиваемой на испарителе мощности, расстояния между подложкой и испарителем, продолжительности процесса напыления, наличия диафрагм ( при вращении подложек), скорости осаждения пленки и энергии, выделяемой при конденсации. [2]
Температура подложки является одним из наиболее существенных параметров, так как она не только задает переохлаждение и пересыщение, но от нее зависят также скорости релаксации неравновесных состояний. [3]
 |
Зависимость ТКС пленок Mo, Re и W от удельного поверхностного сопротивления. / - Мо. 2 - W. 3 - Re. [4] |
Температура подложки обычно поддерживается от 100 до 400 С. [5]
Температура подложки нанесена в относительных единицах 7п / Гв, чтобы сделать более наглядным роль температурных условий переохлаждения, задающих неравновесность состояния. [7]
Температура подложки, на которую наносится металлическая пленка во время напыления, зависит от напыляемого металла и материала подложки. Например, однородную плотную пленку золота на молибдене можно получить, если молибденовая подложка нагревается до 850 С; более высокая или низкая температура не дает удовлетворительных результатов. [8]
 |
Конструкция нагревателя для испарения методом вспышки с бортиком, соединенным точечной сваркой, и конусным отражателем. [9] |
Температуры подложек, приведенные в табл. 16, определялись в первую очередь необходимой степенью упорядочения и кристалличности пленок. В лучае пленок соединений эти температуры были необходимы для получения гомо - или гетероэпитаксиальных пленок. [10]
 |
Конструкции испарителей для термовакуумного нанесения пленок.| Основные виды вращения подложкодержателей налылительных установках. [11] |
Температура подложки выбирается оптимальной, чтобы обеспечить конденсацию пара и адгезию пленок к подложкам. [12]
Температура подложки должна быть выше некоторого значения 70, при котором поверхностная диффузия атомов обеспечивает их высокую подвижность. Следовательно, текстуры зарождения могут наблюдаться лишь в определенном интервале температур конденсации Т0 Т 0Ь Здесь, как и ранее ( см. гл. [13]
Температура подложки, необходимая для сохранения достаточно низкого пересыщения ( см. пункт б) при данных Д0 и Т, не должна быть слишком высока во избежание заметного испарения подложки. [14]
Температура подложки при нанесении на нее селенового слоя существенно влияет как на величину предельного потенциала ( положительного и отрицательного), до которого может быть заряжена электрографическая пластина, так и на скорость ее темнового спада. Так, при температуре подложки 12 - 20 С получаются электрографические пластины, хорошо заряжающиеся до высокого отрицательного потенциала и хорошо удерживающие его. Положительные же потенциалы таких пластин невелики и очень быстро спадают. Пластины, напыленные при температуре подложек 55 - 70 С, плохо заряжаются, плохо держат отрицательный потенциал и хорошо - положительный. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5