Температура - подложка
Cтраница 4
С - температура подложки; 7М1080 С - температура плавления меди. [46]
С повышением температуры подложки скорость миграции атомов увеличивается и устойчивым оказывается лишь относительно небольшое количество зародышей, наиболее прочно закрепленных на поверхности, которые, разрастаясь, создают крупнозернистую структуру пленки. [47]
С увеличением температуры подложки вероятность захвата кислорода восстановленным конденсатором уменьшается вследствие происходящей десорбции кислорода с нагретой поверхности. [48]
При повышении температуры подложки ( 50, 70 и 90) количество таких частиц уменьшается. [49]
При увеличении температуры подложки удельное сопротивление пленок, как правило, возрастает, что связывается с уменьшением содержания в них металлического компонента. Однако эта зависимость справедлива в достаточно узком интервале температур. На основании детального исследования пленок CdS, CdSe, изготовленных методом открытого соиспарения CdS и S, CdSe и Se, получены зависимости удельного сопротивления и эффективной подвижности от температуры подложки. При дальнейшем увеличении Гп удельное сопротивление падает. В связи с тем, что основным механизмом рассеяния в пленках является рассеяние на межкристаллических барьерах, можно ожидать увеличения хЭф с ростом температуры подложки, приводящим к резкому уменьшению плотности фигур роста. [50]
 |
Схемы устройства различных испарителей. [51] |
Посредством изменения температуры подложки можно регулировать давление паров компонентов, а также, что не менее важно, воздействовать на относительные коэффициенты прилипания и термодинамически равновесное состояние различных составляющих пара. Благодаря этому метод осаждения с использованием нескольких испарителей при соответствующем температурном контроле идеально подходит для выращивания пленок многокомпонентных полупроводников определенного состава и широко применяется для получения пленок соединений IV-VI, II-VI и III-V групп периодической системы элементов. [52]
При увеличении температуры подложки до 200 С и выше образуются пленки с более упорядоченной ориентацией зерен. Степень их ориентации, определяемая отношением площадей, заключенных на рентгенограммах под дифракционными пиками, соответствующими направлениям 004 и 400, повышается при увеличении толщины пленки. Для пленок толщиной более 10 мкм характерна очень высокая степень ориентации зерен относительно базисной плоскости. [53]
 |
Зависимость изменения сопротивления пленок кермета при термическом отжиге в вакууме. [54] |
При увеличении температуры подложки от 200 до 400 С удельное сопротивление пленок кермета понижается в 1 5 - 2 раза. Это сопровождается переходом от почти аморфной структуры к некоторому структурному упорядочению. При дальнейшем возрастании температуры наблюдается увеличение сопротивления, а ТКС уменьшается, оставаясь в пределах отрицательных значений. [55]
Для измерения температуры подложки в большинстве промышленных установок используют проволочные термопары хро-мель-копель и регистрирующие или показывающие потенциометры с регуляторами. [56]
При повышении температуры подложки до 350 С в пленках на аморфных подложках происходило изменение текстуры, в результате которого плоскости ( 0001) зерен ориентировались параллельно подложке. [57]
При повышении температуры подложки до 200 - 250 С расстояние между границами возрастает в 15 - 20 раз и сами границы становятся более регулярными [172], что приводит к резкому уменьшению концентрации электрически активных дефектов и снижению их легирующего действия. [58]
При повышении температуры подложки до 350 С в пленках на аморфных подложках происходило изменение текстуры, в результате которого плоскости ( 0001) зерен ориентировались параллельно подложке. [59]
При повышении температуры подложки до 200 - 250 С расстояние между границами возрастает в 15 - 20 раз и сами границы становятся более регулярными [172], что приводит к резкому уменьшению концентрации электрически активных дефектов и снижению их легирующего действия. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5