Температура - подложка
Cтраница 2
Температура подложки также влияет на структуру напыляемой пленки и, следовательно, на ее электрофизические параметры. [16]
Температура подложки при нанесении на нее покрытий ( температура конденсации) является важным фактором, определяющим основные свойства покрытий - внешний вид, структуру, адгезию, механические и коррозионные свойства. [17]
Температура подложки, измеряемая медь-константано-вой термопарой, изменялась в пределах 20 - 200 С. [18]
Температуру подложки при этом подбирают так, чтобы не допустить конденсации чистых компонентов группы V. [19]
Пусть температура подложки так низка, что зародыш состоит из единственного атома. [20]
 |
Стадии жидкостной эпитаксии. [21] |
Если температуры подложки и расплава неодинаковы, часть подложки растворяется в расплаве или часть расплава выделяется в виде твердой фазы на подложке. Эпитакси-альное нанесение происходит при охлаждении расплава и подложки. По мере охлаждения расплав перенасыщается атомами As и, следовательно, мышьяк выделяется в твердой фазе в виде GaAs. В идеальном случае данный процесс идет только на подложке. При этом образуется слой, полученный эпитаксией из жидкой фазы. [22]
Влияние температуры подложки на структуру и триботехнические свойства тонких слоев MoS2, полученных высокочастотным катодным распыле-нием / М. В. Ноженков и др. / / Физика, химия и механика. [23]
Понижение температуры подложки до - 76 С явилось достаточным для получения сплошного аморфного слоя при облучении кремния ионами различных энергий вплоть до 450 кэВ при дозах - 1015 см-2, при этом качество рекристаллизованных структур оказалось довольно высоким. [25]
Повышение температуры подложки уменьшает Nt, а следовательно, л структурный беспорядок. [26]
Повышение температуры подложки и уменьшение скорости конденсации увеличивают толщину монокристального слоя. Установлено, что структура осадка зависит от совершенства поверхности подложки. [27]
Снижение температуры подложки приводит к сильному уменьшению выхода гетерогенной реакции водородного восстаноьления тетрахлорида кремния, уменьшению поступления свободных атомов кремния и, несмотря на противоположное влияние понижения температуры, к затруднению процесса зародышеобразования и увеличению критического размера зародышей. [28]
Снижение температуры подложки с 740 до 710 С не приводит к существенному изменению концентрации носителей зарядов и их подвижности. Нами не было замечено также существенного изменения электрофизических свойств слоев при увеличении температуры галлия от 810 до 860 С. [29]
Изменяя температуру подложки и соответственно скорость миграции атомов, можно реализовать различные механизмы роста и получать различные типы структур покрытия. Зона / ( глубинная) образуется при температуре процесса Т - 0 26 Тпл и отличается равновесной структурой. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5