Температура - подложка
Cтраница 3
Изменяя температуру подложки и соответственно скорость миграции атомов, можно реализовать различные механизмы роста и получать различные типы структур покрытия. Зона / ( глубинная) образуется при температуре процесса Т 0 26 Тпл и отличается равновесной структурой. [31]
 |
Временные зависимости роста слоя получающегося осаждением из иаровой фазы ( l vt и диффузионного слоя (. % у - D - t. [32] |
Изменяя температуру подложки ( следовательно, и /)), или температуру испарителя ( следовательно, и v), можно смещать положение точки ( t0; 10) и, таким образом, изменять состав сконденсированного слоя. В частности, если в системе подложка - покрытие имеется несколько интерметаллических соединений, то, по-видимому, можно, регулируя D и v, получать покрытие, состоящее из заранее заданного соединения. [33]
 |
Временные зависимости роста слоя получающегося осаждением из паровой фазы ( l vt и диффузионного слоя (. [34] |
Изменяя температуру подложки ( следовательно, и D), или температуру испарителя ( следовательно, и v), можно смещать положение точки ( t0; 10) и, таким образом, изменять состав сконденсированного слоя. В частности, если в системе подложка - покрытие имеется несколько интерметаллических соединений, то, по-видимому, можно, регулируя D и и, получать покрытие, состоящее из заранее заданного соединения. [35]
При температуре подложки выше 1030 С весь конденсат состоит из этого соединения. [36]
При температуре подложки, близкой к комнатной, в пленках, по-видимому, образуются включения полисиланов. Бауэр и Билгер [23] измерили параметры плазмы методами эмиссионной спектроскопии и масс-спектроскопии, а также с помощью электрического зонда и установили, что оптимальная концентрация частиц различного вида зависит от нескольких параметров процесса осаждения. [37]
При температуре подложки 1000 С скорость осаждения превышает 0 1 мим / мин. [38]
При температуре подложки выше 1030 С весь конденсат состоит из этого соединения. [39]
При температуре подложки 1000 С скорость осаждения превышает 0 1 мим / мин. [40]
При температуре подложки выше 170 С и скоростях осаждения более 0 5 А / сек наблюдается следующая зависимость: с ростом скорости осаждения слоя карбида молибдена уменьшаются удельное сопротивление и ТКС. [41]
При фиксированной температуре подложки толщина пленки линейно пависит от времени осаждения. Однако скорость роста пленок при этих температурах относительно невысока и составляет 0 15 мкм / час. Дальнейшее повышение температуры нагрет подложек приводит к заметному снижению скорости роста пленок. [42]
 |
Зависимости скорости роста, [ IMAGE ] Зависимости скорости роста. [43] |
При температурах подложки выше 670 С наблюдается спад подвижности до 1000 см2 / В-с и некоторый рост удельной электропроводности. Уменьшение jj, и некоторый рост а с ростом температур, вероятно, можно объяснить внедрением в пленку адсорбированных атомов кислорода со стенок реактора и материала подложки-держателя. [44]
Чем ниже температура подложки, тем интенсивнее происходит рассеяние энергии падающих атомов, тем больше их время жизни и тем меньше их длина миграции. Возможность образования зародышей новой фазы определяется величиной пересыщения, которая в свою очередь зависит от температуры подложки и величины потока падающих частиц. При заданной плотности потока должно, по-видимому, существовать критическое значение температуры поверхности для каждой данной подложки, выше которого не образуются стабильные зародыши. Значение такой температуры может изменяться вследствие различных явлений, например загрязнения подложки и пара посторонними примесями. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5