Cтраница 5
Исследование влияния температуры подложки на степень совершенства эпитаксиального слоя показало, что оптимальные температуры для выращивания зеркально-гладких слоев без дефектов поверхности 700 - 730 С. Значение плотности дислокаций в эпитаксиаль-ных слоях составляло 7 - 103 - 4 - 105 см-2 и было примерно на порядок выше, чем в подложках. [61]