Теория - рост - кристалл
Cтраница 1
 |
Область метастабильного пересыщения для раствора вещества А в веществе В или вещества В в веществе Л надиаграмме плавкости системы бетол-салол ( Майерс. [1] |
Теория роста кристаллов делится естественным образом на две части: а) теорию роста совершенных кристаллов и б) теорию роста несовершенных кристаллов. Так как эта теория относится к идеализированным совершенным кристаллам, редко встречающимся в природе, она может объяснить только небольшую часть результатов, полученных при изучении роста кристаллов. Здесь она будет затронута лишь кратко; подробности же можно найти в оригинальных работах. [2]
К теории роста кристаллов, Ученые записки Ленинградского государственного университета, № 215, сер. [3]
В теории роста низкомолекулярных кристаллов концентрация входит в понятие обобщенного переохлаждения. [4]
Предложено несколько теорий роста кристаллов; рассмотрим некоторые из них. [5]
Существует ряд теорий роста кристаллов ( И. В. Гиббс, Ю. В. Вул ьф, X. [6]
 |
Зависимость скорости кристаллизации Jdmlt от времени процесса.. [7] |
Известно несколько теорий роста кристаллов. Согласно диффузионной теории, растворенное вещество диффундирует из глубины раствора через ламинарный подслой у поверхности кристалла ( 6лам от 0 - 20 до 150 мкм), затем включается в тело кристалла. Скорость кристаллизации не постоянна во времени. [8]
 |
Зависимость скорости кристаллизации J-dmd от времени t процесса.. [9] |
Известно несколько теорий роста кристаллов. Согласно диффузионной теории, растворенное вещество диффундирует из глубины раствора через ламинарный подслой у поверхности кристалла ( блан от 0 - 20 до 150 мкм), затем включается в тело кристалла. Скорость кристаллизации не постоянна во времени. [10]
 |
Изменение скорости кри-сталлизации ( т во времени ( т. [11] |
Предложено несколько теорий роста кристаллов, но ни одна из них не получила всеобщего признания. [12]
Предложено несколько теорий роста кристаллов, но ни одна из них1 не получила всеобщего признания. [13]
Наибольшее значение среди теории роста кристаллов имеют диффузионная и молекулярно-кинетическая. Согласно диффузионной теории Нернста процессы на поверхности раздела фаз протекают очень быстро, а скорость гетерогенных процессов лимитируется только диффузией. При кристаллизации поверхность кристалла покрыта тонким слоем малоподвижного раствора, в котором концентрация снижается от средней величины в растворе ( с) до концентрации насыщения ( с0) на самой поверхности кристалла. Этот слой и создает основное сопротивление для диффузионного перехода кристаллизующегося вещества из пересыщенного раствора на поверхность растущего кристалла. [14]
 |
Скорость роста граней кристалла. а - инвариантный кристалл. б - самогранка. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5