Теория - рост - кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если у тебя прекрасная жена, офигительная любовница, крутая тачка, нет проблем с властями и налоговыми службами, а когда ты выходишь на улицу всегда светит солнце и прохожие тебе улыбаются - скажи НЕТ наркотикам. Законы Мерфи (еще...)

Теория - рост - кристалл

Cтраница 3


31 Лентообразные структуры аморфного нитрильного каучука.| Схематическое представление трех микрофибрилл, образующих фибриллу. [31]

Рост кристалла происходит через образование спиральных террас по дислокационному механизму в соответствии с теорией роста кристаллов Франка. При этом простейший монослойный кристалл полиэтилена имеет форму полой пирамиды.  [32]

33 Ориентировка кристаллов с решеткой Г12 при наклонном падении пучка. [33]

Во многих из указанных работ авторы делают попытку объяснить наблюдаемые косые текстуры, привлекая для этого как общие представления теории роста кристаллов, так и некоторые дополнительные соображения.  [34]

Если ранние исследования эпитаксии носили феноменологический характер, то современное изучение основывается на базе более строгих представлений общей молекулярной и дислокационной теорий роста кристаллов.  [35]

Механизм роста кристалла связан с характером расположения частиц в его решетке и с их природой, поскольку свойства кристаллов зависят не только от пространственного их расположения, но и от характера межатомных взаимодействий. Теория роста кристаллов основана на изучении сил связи, действующих между частицами.  [36]

Толщина нарастающих слоев увеличивается с повышением пересыщения раствора и скорости роста грани, тангенциальный же рост слоев уменьшается с увеличением их толщины. Теория идеального роста кристалла, согласно которой нарастающие ступеньки должны иметь толщину порядка молекулярного слоя, не может дать объяснения этому факту, который различными авторами [172, 177, 178] трактуется по-разному.  [37]

Дальнейшим развитием молекулярно-кинетической теории роста и растворения кристаллов является дислокационная теория. Теория несовершенного роста кристаллов, или теория дислокаций 1363 - 368 ], является современной теорией и претендует на наиболее полное описание роста кристаллов из газовой фазы. Она объединяет все лучшее из существовавших до нее теорий. Основная идея ее заключается в том, что плоским двумерным зародышем новых атомарных или молекулярных слоев является дислокация - чисто геометрическое нарушение в кристаллической решетке. Дислокация обеспечивает наличие готовых ступеней на поверхности грани кристалла независимо от расстояния продвижения ступеньки, благодаря чему рост кристаллической грани становится непрерывным, так как разрастание слоя происходит достаточно быстро и считается, что оно не лимитирует скорости кристаллизации.  [38]

В этой работе рассматриваются преимущественно теория зародыше-образования Беккера - Деринга и рост кристаллов по механизму двумерного зародышеобразования, основанный на модели Косселя - Странского. Наиболее важным достижением теории роста кристаллов с 1939 г., несомненно, следует считать обнаружение зависимости скорости роста от несовершенств кристаллической решетки.  [39]

40 Шариковая модель поверх - ваемая модель ТСИ. Плоскость. [40]

В случае простых кристаллических решеток существуют некоторые поверхности, которые в первом приближении имеют лишь однотипные места для включения других атомов; подобные поверхности называются сингулярными. Сингулярные поверхности играют важную роль в теории роста кристаллов ( см. разд.  [41]

42 Схема строения идеального кристалла ( а и кристаллов с краевой ( б и винтовой ( в дислокацией. [42]

Спиральны и рост кристаллов. Понятие о дислокациях, введенное в теорию роста кристаллов Франком в 1949 г., позволило объяснить весьма большую скорость роста плотно упакованных поверхностей при небольших пересыщениях. Согласно классическим представлениям Косселя - Стран-ского после заполнения какой-либо плоскости для дальнейшего роста кристалла на ней необходимо возникновение плоского островка-зародыша из нескольких атомов.  [43]

44 Часть металлического монокристалла с отдельными зонами субструктуры. [44]

Различные авторы ( Смекал, Звицкий, Орован и др.) предполагают существование различных типов мозаичной структуры в соответствии с представлением о признаках, определяющих тип структуры. Некоторые из авторов считают, что строение субструктуры соответствует теории роста кристаллов. Другие авторы полагают, что появление субструктуры связано с возникновением и развитием пластических деформаций металла. Мозаичную структуру можно объяснить как неупорядоченное расположение участков более упорядоченной кристаллической решетки металла, или как систему расположения внутренних дефектов структуры, или как скопление микротрещин в металле.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5