Теория - рост - кристалл
Cтраница 2
До сих пор теории роста кристаллов, основанные на представлении о поверхностной энергии, пока не нашли общего признания, так как имеется мало доказательств в их поддержку. [16]
Поэтому для построения теории роста кристаллов необходимо использовать простые модели, например, когда атомы представлены в виде кубиков, плотная упаковка которых позволяет получать как идеально гладкие грани, так и шероховатые. [17]
Они экспериментально подтвердили теорию роста кристаллов, объяснив ее образованием на гранях кристалла двумерных зародышей. Возникнув на грани кристалла, зародыш распространяется по всей грани. Если предположить, что зародыш распространяется по всей грани за время, малое по сравнению со временем ожидания появления зародыша на грани, то это равносильно предположению, что линейная скорость роста кристалла практически определяется скоростью зарождения двумерных зародышей. [18]
В книге рассматриваются основы теории роста кристаллов и важнейшие методы выращивания монокристаллов, применяемых в науке и технике, в частности в полупроводниковой электронике и лазерной технике. [19]
Этим объясняется существование ряда гипотетических теорий роста кристаллов, хотя ни одна из них не дает исчерпывающего описания механизма процесса кристаллизации и его кинетики. Рассмотрим некоторые из этих теорий, представляющих, по крайней мере, качественный интерес, как в случае растворов, так и расплавов. [20]
Однако в соответствии с теорией роста кристаллов эти поверхности в условиях роста должны быстро выклиниваться, оставляя позади себя сингулярную поверхность, на которой для продолжения роста требуется возникновение новых ступеней. Таким образом, на сингулярных поверхностях должны существовать источники ступеней. [21]
Эта скорость также рассматривается в теории роста кристаллов Фольмера-Каишева - Странского. При этом, несмотря на присутствие уже образовавшегося кристалла ( затравки), на определенных стадиях роста граней в начале наращивания нового слоя кирпичной кладки скорость роста может лимитироваться необходимостью затраты работы образования двухмерного ( плоского), толщиной в один атом, критического зародыша. При очень малом пересыщении атомами углерода вероятность образования таких зародышей так мала, что рост кристалла идет с запинками, подобно остановкам плохо смазанных поверхностей при скольжении. [22]
Одну из главных причин отставания теории роста кристаллов от современного уровня теоретической физики А. А. Чернов [374] видит в отсутствии серьезной математической обработки многочисленных существующих в ней идей, которые не доводятся тем самым до возможности количественного сопоставления с опытом. [23]
В разделе VI.43 даны выводы по теориям роста кристаллов. [24]
Теория возникновения новой фазы используется также в теории роста кристаллов. Еще Гиббс отметил, что процесс роста идеального кристалла происходит таким же образом, как и возникновение новой фазы: возникновение нового слоя частиц в кристалле связано с постройкой двумерного зародыша нового слоя, для образования которого необходимо затратить энергию. [25]
 |
Область метастабильного пересыщения для раствора вещества А в веществе В или вещества В в веществе Л надиаграмме плавкости системы бетол-салол ( Майерс. [26] |
Вторая часть является относительно новым этапом развития теории роста кристаллов, распространяющим ее на несовершенные кристаллы. [27]
 |
Грань ( 100 кристалла с простой кубической решеткой [ Verma, 1953 ]. Л - положение повторимого шага. [28] |
В конце предыдущей главы обсуждались некоторые аспекты теории роста кристаллов, однако при этом не рассматривалась детально структура поверхности кристалла. [29]
Для определения скорости роста на основе соотношений, вытекающих из теорий роста кристаллов со сложенными цепями при наличии одной или неограниченного числа флуктуации длины складки ( см. разд. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5