Теория - рост - кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Ты слишком много волнуешься из-за работы. Брось! Тебе платят слишком мало для таких волнений. Законы Мерфи (еще...)

Теория - рост - кристалл

Cтраница 5


Очевидно, Бенар понимал важную роль поверхностного ватяжэния в данной проблеме, но он не поставил вопрос, представлявши сейчас для нас особый интерес: каким образом и в какой степени поверхность раздела жидкость - газ воздействует на наблюдаемые конвективные потоки или испытывает их влияние. До сих пор мы не располагаем законченной теорией конвекции Бенара. Однако межфазная конвекция столь тесно связана с химической технологией, материаловедением и теорией роста кристаллов [ J7 - I91, что многие аспекты проблемы уже выяснены.  [61]

В главе четвертой рассматривается кинетика образования зародышей в различных случаях сочетания двух фаз. Хочется обратить особое внимание читателей на раздел, посвященный образованию кристаллических зародышей. Приведенная трактовка проблемы по Беккеру и Дерингу, основывающаяся полностью на молекулярно-кинетических представлениях, мало знакома сегодняшним специалистам. В ней в сущности даны теоретические основы процессов кристаллизации, и я убежден в том, что популяризация этой фундаментальной работы при помощи монографии Фольмера приведет к дальнейшей разработке ряда деталей в области теории роста кристаллов.  [62]

Из формулы видно, что чем выше давление, тем меньше К. При выращивании из газовой фазы трудно обеспечить столь же высокие скорости роста, как в других однокомпо-нентных системах, поскольку этому препятствует диффузия, так что высокие значения ф оказываются недостижимыми. Повышение парциального давления не решает задачи, поскольку при этом уменьшается длина Я. Лимитирующей стадией при кристаллизации рассматриваемого характера могут быть только такие процессы из числа Р1 - Р16, в которых не участвуют ни растворитель, ни минерализатор. Растворение при этом следует заменить испарением. В атмосфере нереакционного газа в число возможных лимитирующих факторов следует включить и диффузию последнего от поверхности растущего кристалла. К настоящему времени, как мы увидим ниже, наилучшее соответствие между экспериментальными данными и теориями роста кристаллов достигнуто в случае их выращивания из газовой фазы.  [63]



Страницы:      1    2    3    4    5