Ток - инжекция
Cтраница 1
Ток инжекции пропорционален п - ехр [ - &. Таким образом, из сравнения (2.12) и (2.16) следует, что ток рекомбинации является основной составляющей прямого тока ( / рек / инж) при малых прямых напряжениях в полупроводниках с широкой запрещенной зоной. [1]
Ток инжекции представляет собой периодическую последовательность коротких импульсов. [2]
Пока ток инжекции в сильнолегированную область мал по сравнению с общим током, последний пропорционален ехр ( jr) диодов с тонкой и толстой базой. [3]
Величина тока инжекции и длительность его воздействия выбирается так, чтобы вероятность нахождения электронов в зоне проводимости превышала вероятность их нахождения в валентной зоне. Это обеспечивает возникновение состояния с инверсной населенностью. При установлении инверсии населенностей и наличии приложенного внешнего напряжения U потенциальный барьер р-п перехода U уменьшается ( см. рис, 2.38 6), появляется прямой ток, равновесие носителей нарушается и электроны и дырки, двигаясь навстречу друг другу, начинают рекомбинировать. Электроны, возвращаясь в процессе рекомбинации из зоны проводимости в валентную зону, выделяют кванты энергии вф в виде фотонов. [4]
 |
Ячейка памяти ЗУ на ИС с инжекционнын питанием. [5] |
Влияние тока инжекции на быстродействие вызывается изменением условий заряда паразитных емкостей и емкости р-п перехода. Работа, затрачиваемая на переключение этих схем, всего на один порядок превышает работу переключения нейрона. [6]
Здесь в ток инжекции входит и реком-бинационная составляющая. За счет рекомбинации в перс-ходе количество неравновесных носителей в р - и п-обла-стях уменьшается. С увеличением положительного смещения это отношение будет быстро уменьшаться. [7]
Рассчитаем плотность тока инжекции, полагая, что х 1 см2 / в-сек 10 - 4 м2 / в-сек. [8]
Таким образом, ток инжекции через эмиттерный переход обусловлен не полной проводимостью УИб, а лишь ее частью: двумя первыми слагаемыми. [9]
 |
Оптическое диодное релейное соединение.| Схема совпадений ( логического сложения на лазерных диодах. [10] |
При увеличении среднего значения тока инжекции третьей области или при увеличении ее длины сигнал на выходе включается любым из отдельных сигналов / и 2 или обоими совместно. [11]
Ток ускоряемых частиц равен току инжекции, умноженному на величину коэффициента захвата. [12]
Величина / 21 представляет собой ток инжекции коллектора нр напряжении коллектора, равном нулю ( кривая 2 на рис. 4.10, в), величина / 22 - ток коллектора при напряжении эмиттера, равно: нулю, и обратном напряжении коллектора ( кривая 1 на рис. 4.10, а ] ток / г больше тока экстракции коллекторного перехода / ко за сче составляющей сс / 12, обусловленной инжекцией эмиттера. [13]
 |
Составляющие токов через переход с учетом генерации электронно-дырочных пар в области объемного заряда. [14] |
Рекомбинационный ток представляет собой часть тока инжекции. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5