Ток - инжекция
Cтраница 2
 |
Схема вакуумной системы установки Огра I. [16] |
Лярных ионов Н2, при токе инжекции 100 ма необходимая быстрота откачки составляет 6 - Ю6 л / сек. [17]
Сопротивление коллекторного перехода снижается пропорционально возрастанию тока инжекции. В результате инжекции ток коллектора может возрасти на 4 - 5 порядков, а сопротивление коллектора соответственно на 4 - 5 порядков снизиться. [18]
Это связано с резким уменьшением плотности тока инжекции эмиттерного перехода по мере удаления от границы базового вывода. [19]
Частотная автомодуляция также может быть синхронизирована током инжекции [721] и в конечном итоге приводит к увеличению ширины спектральной линии генерации. [20]
Полупроводниковые ОКГ работают при очень больших плотностях тока инжекции - тысячи и десятки тысяч ампер на квадратный сантиметр, из-за чего активная среда разогревается. Поэтому большинство генераторов работает в импульсном режиме и с охлаждением жидким азотом или даже жидким гелием. Мощность выходных импульсов до сотен ватт, средняя - десятки милливатт. [21]
ФТ При больших напряжениях основную часть тока составляет ток инжекции; эта область также изображается прямой линией, но с углом наклона вдвое большим. Граничное значение тока, разделяющее два участка, слабо зависит от температуры. [22]
Коэффициент инжекции уэ показывает, какую часть составляет полезный ток инжекции электронов из эмиттера в базу в полном токе эмиттера. Коэффициент переноса ХБ показывает, какая часть электронов, инжектируемых из эмиттера в базу, достигает коллекторного перехода; значение ХБ тем ближе к единице, чем меньше электронов ре-комбинирует в базе при их движении к коллектору. [23]
Шумы в транзисторе возникают также в процессе распределения тока инжекции между коллектором и базой. [24]
 |
Распределение частиц по импульсам и фазам в начале и конце группирования в секции волновода с Рв 1. [25] |
Чтобы сохранить величину тока ускоренных частиц, необходимо увеличить ток инжекции. [26]
 |
Распределение плотностей токов инжекции J / а1ШЖ. утечек / узут и полного / / а перехода / з тиристора в начальный период его включения. [27] |
Пунктирной кривой на рис. 9.2 изображено распределение суммарной плотности токов инжекции и утечки. [28]
 |
Двухэмиттерный транзистор в элементе памяти. [29] |
Таким образом, благодаря соответствующему выбору сопротивления базового слоя (5.3) ток инжекции коллекторного р - - перехода оттесняется к областям / / - под эмиттером 2 и / - под коллекторным контактом. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5