Ток - инжекция
Cтраница 4
 |
Структура тиристора. [46] |
Ток через коллектор 2 равен сумме тока утечки коллектора / ко и доходящих до него токов инжекции обоих эмиттеров. [47]
Отмечается несоответствие теоретической и опубликованной в ряде работ экспериментальной зависимости коэффициента усиления ОКУ бегущей волны от тока инжекции. Указывается, что причиной несоответствия является насыщение усилителя вследствие усиления спонтанного излучения самого усилителя и возникновение внутренних типов колебаний вследствие регенерации. [48]
Основа элементов И2Л - ключ, представляющий собой транзистор с инжекционным питанием, состоящий из генератора тока инжекции / и транзистора с открытым коллекторным выходом. [49]
 |
Логические элементы на КМДП-транзисторах. [50] |
Основа элементов ИИЛ - ключ, это собственно прибор с ин-жекционным питанием, состоящий из генератора тока инжекции. [51]
Существенное влияние на эквивалентную схему может оказать перераспределение тока при больших уровнях ин-жекции за счет вытеснения тока инжекции к краю эмиттера. На рис. 2.24 показано, что за счет протекания тока базы в поперечном направлении, вдоль базовой области образуется падение напряжения, которое уменьшает отпирающее напряжение у того края эмиттера, который удален от базового вывода. По мере увеличения тока практически весь ток инжекции из эмиттера вытесняется к краю перехода, ближайшему к выводу базы. В результате эффекта вытеснения изменяется токораспределение в транзисторе. [52]
Из-за относительно большой ширины запрещенной зоны исходного полупроводника реком-бинационный ток р-я-перехода оказывается большим по сравнению с током инжекции, особенно при малых прямых напряжениях ( см. § 2.5), т.е. процесс рекомбинации в этом случае реализуется в основном в p - n - переходе. Образовавшиеся в результате ионизации носители рекомбини-руют в р-я-переходе с излучением света. Однако такие приборы менее эффективны. [53]
 |
Топология двухэмиттерных транзисторов с полосковой конструкцией ( а и с встроенным сопротивлением базы ( б. [54] |
Если параметры структуры избраны правильно, то плотность тока через диод Шоттки на несколько порядков выше плотности тока инжекции коллекторного р-л-перехода. [55]
 |
Туннельное прохождение электронов через тонкие диэлектрические. [56] |
Поэтому в очень тонких слоях ( единицы нанометров) туннельный ток может достигать величины, сравнимой с током надбарьерной инжекции и даже существенно превышать его. [57]
Как видно из ( 1), усиление полупроводниковых ОКУ в максимуме спектральной кривой усиления должно экспоненциально зависеть от тока инжекции. [58]
Отсутствуют всякого рода поверхностные утечки, шунтирующие переход, а следовательно, и токи утечки, которые, вообще говоря, добавляются к токам инжекции и экстракции. [59]
Так как эта зависимость значительно менее резкая, чем экспонента в ( 1), то мощность собственного излучения усилителя должна меняться почти экспоненциально с током инжекции. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5