Cтраница 5
В то же время плотность тока утечки эмиттерного перехода 7 / аУТ линейно зависит от Uj, , в результате чего плотность тока утечки по мере удаления от границы базового вывода уменьшается медленнее, чем плотность тока инжекции. [61]
Она аналогична току инжекции электронов из эмиттера в базу. Расстояние Хе от эмиттерного электрода до эмиттерного перехода может быть больше или меньше диффузионной длины Lp дырок. В зависимости от этого меняется распределение концентрации дырок в эмиттерной области. [62]
Голоньяком ключевой полупроводниковый прибор - тиристор - представляет собой систему из трех взаимодействующих переходов ЭПг, К П, ЭП2, включенных встречно-последовательно ( рис. В. Здесь используется взаимозависимость токов инжекции эмиттерных переходов 5ЯЬ ЭПг и влияние их на величину обратного сопротивления коллекторного перехода КП. [63]
На участке насыщения ( область I на рис. 1.10, б) имеет место инжекция двух переходов, включенных навстречу друг другу. Соответственно, чтобы создать ток инжекции коллектора, способный скомпенсировать возросший эмиттер-ный ток, надо увеличить прямое напряжение на коллекторном переходе. [64]
Для проверки этого предположения было бы желательно провести расчет плотности тока инжекции в исследованных диэлектриках и сравнить рассчитанное значение / с наблюдаемым экспериментально. Согласно теории, величина тока инжекции зависит от характера контакта электрода с диэлектриком, от концентрации электронных ловушек в диэлектрике. К сожалению, для титаносо-держащих диэлектриков эти факторы оценить трудно. Поэтому в качестве первого шага рассчитаем максимально возможный ток инжекции, который имеет место в диэлектрике без ловушек и при таком контакте диэлектрика с электродами, который обеспечивает максимальную мощность инжекции. [65]