Ток - инжекция
Cтраница 3
 |
Зависимость - / ( U для.| Значения п в разные моменты времени старения керамики Т-80. [31] |
Для проверки этого предположения было бы желательно провести расчет плотности тока инжекции в исследованных диэлектриках и сравнить рассчитанное значение / с наблюдаемым экспериментально. Согласно теории, величина тока инжекции зависит от характера контакта электрода с диэлектриком, от концентрации электронных ловушек в диэлектрике. К сожалению, для титаносо-держащих диэлектриков эти факторы оценить трудно. Поэтому в качестве первого шага рассчитаем максимально возможный ток инжекции, который имеет место в диэлектрике без ловушек и при таком контакте диэлектрика с электродами, который обеспечивает максимальную мощность инжекции. [32]
 |
Зависимость мощности выходных шумов от тока инжекции усилителя ( пороговый ток до просветления 4 85 А.| Зависимость усиления от тока иижекции. [33] |
Видно, что усиление и мощность выходных шумов усилителя зависят от тока инжекции скорее линейно, чем экспоненциально, пока не наступает самовозбуждение усилителя. [34]
Для того чтобы ток коллектора обратился в нуль, необходимо создать ток инжекции из коллектора в базу, равный по величине инжекции из эмиттера. Поэтому ток коллектора обращается в нуль только после того, как напряжение UKf, изменит знак. В схеме с ОЭ при напряжении коллектор - эмиттер, равном нулю, оба перехода инжектируют неосновные носители в область базы и ток коллектора всегда меньше тока базы, так как часть базового тока течет через эмиттерный переход. [35]
Если длительность импульса Д в неизменна, то с уменьшением плотности тока инжекции время задержки, согласно (24.10), возрастает. [36]
Весьма характерной является также зависимость мощности собственного излучения усилителя в направлении усиления от тока инжекции. [37]
 |
Зависимость плотности плазмы ( а и интенсивности низкочастотных колебаний ( б от тока инжекции. [38] |
При включенной системе стабилизации амплитуда низкочастотных колебаний резко уменьшается и не зависит от тока инжекции. Максимальная плотность плазмы увеличивается примерно в два раза, причем наблюдающийся излом на линейной зависимости плотности плазмы от тока инжекции теперь уже связан с раскачкой высокочастотных колебаний, отвечающих ионно-циклотронной неустойчивости, на подавление которых данная система стабилизации не была рассчитана. [39]
Ток электронов, протекающий через барьер для рекомбинации в области р, называется током инжекции или просто инжекцией. [40]
 |
Эпюры напряжений в цепи микросхем И2Л при их переключении. [41] |
Быстродействие микросхем И2Л, определяемое продолжительностью переходных процессов, в значительной мере зависит от тока инжекции: оно растет с увеличением этого тока. [42]
 |
Энергетическая диаграмма диэлектрического или вакуумного зазора с учетом пространственного заряда. [43] |
При этом ТОПЗ растет с ростом 1 / а по закону Чайльда, оставаясь меньше тока инжекции с катода. [44]
На рис. 117 приведены спектры спонтанного и стимулированного испускания GaAs инжекционных гомолазеров при различных значениях тока инжекции. С ростом накачки его интенсивность быстро увеличивается. Высота пичка становится на несколько порядков больше максимума полосы люминесценции. Поэтому на рис. 117, в, где масштаб по оси ординат уменьшен во много раз по сравнению с масштабом рис. 117, б, контур полосы люминесценции приближается к оси абсцисс. Когда плотность тока превышает порог в 1 1 раза, спектр генерации состоит уже из двух мод. В дальнейшем генерация становится многомодовой. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5