Ток - эмиттер
Cтраница 1
Ток эмиттера ( который, я позволю себе повторить, равен сумме токов базы и коллектора) значительно больше тока коллектора. Это означает, что здесь мы скорее имеем дело с ослаблением, нежели с усилением тока. Напряжение же, наоборот, подвергается здесь очень большому усилению. Это определяется тем, что выходная цепь имеет очень высокое сопротивление. Оно находится в пределах 0 5 - 2 МОм. При этом нагрузочный резистор также должен иметь значительное сопрошвление. [1]
Ток эмиттера как функция напряжения между базой и эмиттером Ua6 с высокой степенью точности представляется экспоненциальной зависимостью. [2]
 |
Распределение потенциалов в тройном п-р-п-слое при действии приложенного извне напряжения. [3] |
Ток эмиттера, зависящий от величины разности потенциалов, создаваемой батареей Б, проходит через участок провода аб. [4]
 |
Схемы включения транзисторов.| Схема включения транзистора с подачей смещения на базу. йсм - сопротивление смещения. Ки - сопротивление нагрузки. [5] |
Ток эмиттера, определяющий ток коллектора, зависит от потенциала базы относительно эмиттера. Поэтому база называется управляющим электродом. [6]
Ток эмиттера пропорционален величине Еъ напряжение коллектора - величине ег. [7]
Ток эмиттера пропорционален величине Elt напряжение коллектора - величине ег. [8]
Ток эмиттера выбирается согласно величине нагрузки. В уравнении стабильности ( 6 - 0.32) зависимость от минимального арв не предполагается, поскольку целесообразно вводить коэффициент запаса. Кроме того, уравнение стабильности влияет непосредственно на требования запуска и должно определяться с их учетом. [9]
 |
Транзистор в виде трехполюсника.| Схемы замещения транзистора. а - с зависимым источником тока и б - с зависимым источником напряжения. [10] |
Ток эмиттера определяется в основном напряжением база - эммиттер и очень слабо зависит от напряжения на коллекторе. Отсюда следует, что и ток коллектора 1К а / э очень слабо зависит от напряжения коллектор - эмиттер. [11]
Токи эмиттеров вызывают падение напряжения на резисторе R в цепи базы транзистора VTI, вследствие чего ее напряжение снижается до 0 8 В. [12]
 |
Векторные диаграммы для схемы, представленной на 213, б. [13] |
Ток эмиттера / э ( рис. 232, а) является суммой активной составляющей 1эк, совпадающей по фазе с напряжением на эмиттерном переходе йэ, и емкостной составляющей / 9S) ток / э опережает ток / эя на угол фэ. [14]
Ток эмиттера для низких уровней инъекции нельзя установить по зависимости fa от 1е, так как высокое входное сопротивление триода при очень малых токах шунтируется входной емкостью ножки и корпуса. Таким образом, при очень малых токах эмиттера измеряемая предельная частота определяется частотной характеристикой эмиттера и примерно пропорциональна току эмиттера. При / е - 1 ма этот эффект мал, но такой ток уже соответствует среднему уровню инъекции. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5