Cтраница 5
В результате ток эмиттера замыкается не через внешний вывод коллектора, а через область коллектора и вывод базы. Такое явление также приводит к росту напряжения, при котором транзистор выходит из режима насыщения. [61]
Напряжение и ток эмиттера, при которых это происходит, выражаются равенствами VEVP и Is - Ip, где Vp - пиковое значение напряжения и 1Р - пиковое значение тока. Точки, соответствующие пиковым значениям, показаны на фиг. Видно, что соответствующие величины Vp зависят от межбазового напряжения VBB, так что Ур ц Удя-Благодаря наличию участка отрицательного сопротивления, лежащего между точками пиковых значений и точками на пологой части кривых, как это показано на фиг. [62]