Ток - эмиттер
Cтраница 3
Поскольку ток эмиттера - наибольший из всех токов транзистора, то схема с общей базой имеет малое входное сопротивление для переменной составляющей тока сигнала. [31]
 |
Схема транзистора р-п - р с общей базой и аналогичная схема на электронной лампе. [32] |
Изменяя ток эмиттера, можно тем самым изменять и ток коллектора. [33]
Когда ток эмиттера равен нулю, ток коллектора очень мал. При этих условиях насыщение тока коллектора отсутствует, а сопротивление перехода велико. При обратном смещении порядка 50 в сопротивление коллекторного перехода достигает 50 Мот. Как видно из фиг. Как видно из фиг. [34]
Чтобы ток эмиттера эффективно управлял током коллектора, принимают меры для уменьшения всех составляющих тока, не принимающих участия в таком управлении. Прежде всего стараются сократить потери носителей заряда, инжектируемых в базу. [35]
Для тока эмиттера диод ЗД9 включен в прямом направлении и не оказывает влияния на работу генератора. Регулировка частоты генератора производится резистором 3R70, изменяющим постоянную времени цепи заряда конденсаторов ЗС46, ЗС39, которая определяет продолжительность обратного хода. Пилообразное напряжение через конденсатор ЗС43 и цепь регулировки размера изображения по вертикали ( резисторы 3R74, 3R75) поступает в цепь базы транзистора ЗТЗ - усилителя. [36]
Поскольку ток эмиттера почти равен коллекторному току, то свойства такого каскада не отличаются от свойств каскада ОЭ. Тогда коллектор будет заземлен лишь по переменному току. [37]
 |
Каскод на биполярных транзисторах. [38] |
Выразив ток эмиттера TI через ток базы Т, представляющий собой входной ток каскода ( г б z eiX получим: Мэ2 2Р б - Следовательно, в эквивалентной схеме замещения каскода в выходную цепь вместо источника а2 э2 можно включить источник тока d pV e управляемый током базы ( б каскода. [39]
Составляющая тока эмиттера / э замыкается в цепи база - эмиттер, не протекает через коллектор и является вредной, вызывая дополнительный нагрев транзистора. [40]
 |
Распределение инжектированных дырок в базе транзистора. [41] |
Зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттерном переходе при различных значениях коллекторного напряжения представляет входную характеристику транзистора: / эД э-б) при С / к в качестве параметра. [42]
 |
Схема для измерения максимальной частоты генерации транзистора. [43] |
Модуляция тока эмиттера ( и модуляция высокочастотных колебаний) позволяет для повышения чувствительности применять в индикаторе избирательные усилители низкой частоты. [44]
Увеличение тока эмиттера приводит к увеличению тока коллектора, к увеличению падения напряжения на нагрузке, а следовательно, к понижению напряжения на коллекторе и сужению области объемного заряда. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5