Ток - эмиттер
Cтраница 4
 |
Временные диаграммы приращений токов эмиттера и коллектора. [46] |
Диаграммы токов эмиттера и коллектора сдвинуты на среднее время диффузии т -, ( рис. VIII. [47]
Увеличение тока эмиттера можно объяснить, пользуясь диаграммой распределения концентрации дырок в базе, которая приведена на рис. II, в. Здесь прямая / соответствует напряжению UK6 О, а прямая 2 - обратному напряжению на коллекторном переходе порядка 0 1 В. При переходе от прямой / к прямой 2 увеличивается градиент концентрации дырок, а следовательно, и обусловленный им ток эмиттера. При дальнейшем повышении обратного напряжения на коллекторе ток эмиттера почти не изменяется, так как почти не изменяется градиент концентрации дырок в базе. [48]
Составляющая тока эмиттера 1Эп замыкается в цепи база - эмиттер, не протекает через коллектор и является вредной, вызывая дополнительный нагрев транзистора. [49]
Амплитуда тока эмиттера для каждого значения сопротивления нагрузки устанавливается таким образом, чтобы величина импульса коллекторного напряжения была равной 0 5 в. Смещение на коллекторе устанавливают по заданию преподавателя и при выполнении следующих пунктов задания его не меняют. [50]
Плотность тока эмиттера в одних и тех же режимах у высокочастотных транзисторов практически на два порядка выше, чем у низкочастотных. [51]
Величиной тока эмиттера можно пренебречь, так как он обычно всегда мал. Это позволяет считать, что в режиме отсечки в транзисторе имеется неуправляемый ток / к0, протекающий по цепи коллектор - база. [52]
Приращение тока эмиттера первого каскада ( I3t) практически без потерь поступает в базу Т2 и, следовательно, обеспечивает максимальную эффективность усилителя. Такое значительное усиление тока необходимо для того, чтобы в течение короткого строб-импульса зарядить конденсатор памяти С до уровня входного сигнала. Выбор постоянных напряжений должен обеспечить нормальный режим работы усилителя. [53]
 |
Зависимость коэффициента усиления каскада с заземленным эмиттером от тока эмиттера.| Схема РУ с управлением тока эмиттера по напряжению на базе. [54] |
Управление током эмиттера можно осуществить, изменяя напряжение в цепи эмиттера или подавая управляющее напряжение на базу транзистора. [55]
При токах эмиттера до 10 - 50 ма легко выполняется условие ( 6 - 9) и стабильность будет весьма высокой. При токах порядка сотен миллиампер и выше Ra должно быть малым, а так как сопротивление гб величина заданная, то отношение R3 / r6 уменьшается и стабильность каскада падает. [56]
 |
Зависимость коэффициента усиления. [57] |
При токах эмиттера, не превышающих нескольких микроампер, величина коэффициента усиления по току составляет менее 0 5 и, как это следует из условия ( 3), р-п-р-п структура, образованная любой парой транзисторов, устойчива. [58]
Требуется найти ток эмиттера. [59]
Так как ток эмиттера равен току коллектора, уравнение (4.3) определяет и ток эмиттера. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5