Cтраница 2
![]() |
Транзистор в виде четырехполюсника. [16] |
Ток эмиттера в этом режиме, по-прежнему, пропорционален тангенсу угла наклона 6, ток коллектора - тангенсу угла наклона 0 а ток базы - избыточному заряду, который пропорционален заштрихованной площади. [17]
Ток эмиттера состоит из двух экспоненциальных составляющих с одинаковой постоянной времени и колебательной составляющей. Интересно рассмотреть возможный характер изменения тока гн в зависимости от их соотношения. [18]
Ток эмиттера открытого транзистора V3 создает на резисторе R2 падение напряжения, достаточное для включения тиристора. [19]
![]() |
Схема быстродействующего операционного усилителя цА715. [20] |
Токи эмиттеров входных транзисторов задаются при помощи источника тока на Tg с транзистором Т (, в диодном включении. Последний одновременно используется для стабилизации тока источника тока на TI и Tig, первый из которых питает последующий дифференциальный каскад на Т и Ti, а второй включен в каскад сдвига уровня. Для уменьшения изменений потенциалов во входном каскаде при воздействии синфазных сигналов изменение базового потенциала транзисторов T Q и Ti4 через транзистор TS подается в цепь смещения источника тока Tg. С увеличением базового потенциала возрастает смещение на Тб и растет ток транзистора Tg, соответсТвеннб увеличиваются токи эмиттеров, что ограничивает повышение потенциалов на выходах дифференциального каскада. С уменьшением потенциала, наоборот, смещение на Т § снижается, ток транзистора Tg уменьшается. [21]
Определите ток эмиттера, обусловленный дырками, пренебрегая токами утечки. [22]
Вычислите ток эмиттера, если коллектор накоротко замкнут с базой. [23]
О ток эмиттера не равен нулю. [24]
![]() |
Основные схемы включения транзистора. [25] |
Если ток эмиттера возрастет на величину Д / а, например, из-за увеличения напряжения эмиттера при воздействии напряжения сигнала А ( / С, то соответственно возрастут и остальные токи. [26]
Если ток эмиттера начинает снижаться, то для сохранения знака равенства в (19.12) 1 / БЭ должно повышаться. Ток базы транзистора Т, следовательно, возрастает и препятствуег уменьшению тока гэ. Необходимо, чтобы в этой схеме конденсатор С2 имел емкость, много большую емкости Сь так чтобы за время разрядки конденсатора Ct напряжение на С2 не успевало заметно измениться. [27]
Чтобы ток эмиттера эффективно управлял током коллектора, принимают меры для уменьшения всех составляющих тока, не Принимающих участия в таком управлении. Прежде всего стараются сократить потери носителей заряда, инжектируемых в базу. [28]
Изменяя ток эмиттера, можно тем самым менять и ток коллектора. [29]
Чтобы ток эмиттера эффективно управлял током коллектора, принимают меры для уменьшения всех составляющих тока, не принимающих участия в таком управлении. Прежде всего стараются сократить потери носителей заряда, инжектируемых в базу. [30]