Толщина - база
Cтраница 1
 |
Схематическое и условное изображение.| XapaiiTCpucTHKH плоскостного транзистора. d - сходные. б - выходные. [1] |
Толщина базы очень мала ( единицы и десятки микрон), поэтому расстояние между р - - переходами также ничтожно мало. [2]
 |
Устройство дрейфовых транзисторов. диффузионный транзи. [3] |
Толщина базы у микросплавных транзисторов составляет несколько микрон, поэтому предельная частота / а оказывается более высокой, чем у сплавных транзисторов. [4]
Толщина базы d для уменьшения рекомбинационных потерь делается тонкой по сравнению с Lp. [5]
 |
Процесс изготовления и элемент тянутого транзистора. [6] |
Толщина базы w в таких транзисторах получается 10 - г - ЗО мк и частота fa l - f - 3 Мгц. [7]
 |
Элемент кремниевого сплавно-диффузионного транзистора ( а и распределение плотностей примеси ( б. [8] |
Толщина базы w в таких триодах может быть уменьшена до 0 5 - М мк, а, поскольку в процессе диффузии образуется градиент сопротивления с возрастанием в сторону коллектора, рабочие частоты триодов достигают 500ч - 11000 Мгц и выше. Транзисторы изготавливаются на мощности 100 - f - 150 мет. [9]
Толщина базы у сплавных фотодиодов составляет десятки микрометров, а у диффузионных - 3 - - 5 мкм. Коэффициент диффузии дырок ( электроны имеют большую скорость) составляет для кремния 10 см2 / с. [10]
 |
Частотные характеристики кремниевого фотодиода. [11] |
Толщина базы у сплавных фотодиодов составляет десятки микрометров, а у диффузионных - 3 - 5 мкм. Коэффициент диффузии дырок ( электроны имеют большую скорость) составляет для кремния Ю см2 / с. [12]
 |
Полупроводниковый триод типа п-р - п. [13] |
Толщина базы очень мала - порядка 2 - 10 м ( меньше диффузионной длины), поэтому почти все электроны, прошедшие в базу через эмиттерный контакт, проходят и через коллекторный контакт, где на них действует ускоряющее поле. [14]
Толщина базы меняется потому, что толщина коллекторного перехода, представляющего собой обедненный электронами и дырками слой, зависит от приложенного к нему обратного напряжения. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5