Толщина - база
Cтраница 3
Уменьшение толщины базы вызывает увеличение градиента концентрации неосновных носителей заряда базы ( дырок, инжектированных из эмиттера), поэтому скорость прохождения дырками базы увеличивается, а следовательно, растет и ток эмиттера. [31]
Модуляция толщины базы при этом уменьшается и воздействие коллекторного тока на эмиттер ослабевает. [32]
Модуляции толщины базы напряжением эмиттера практически не происходит, так как из-за малого сопротивления отпертого перехода переменная составляющая напряжения эмиттерного перехода много меньше, чем коллекторного. [33]
 |
Обедненные слои в транзисторе и потенциальная диаграмма. [34] |
Модуляция толщины базы объясняет некоторый подъем выходных характеристик при увеличении отрицательного напряжения коллектор-база. Коллекторный ток при этом увеличивается, так как меньшая часть дырок теряется в базе на пути от эмиттера к коллектору вследствие рекомбинации с электронами. [35]
Уменьшение толщины базы вызывает увеличение градиента концентрации неосновных носителей заряда базы ( дырок, инжектированных из эмиттера), поэтому скорость прохождения дырками базы увеличивается, а следовательно, растет и ток эмиттера. [36]
Изменение толщины базы влияет на условия работы эмиттерного перехода. [37]
Модуляция толщины базы изменяет количество дырок, реком-бинирующих при передвижении от эмиттера к коллектору. Это приводит к зависимости коэффициента переноса Р, а следовательно, и коэффициента передачи тока эмиттера а от напряжения на коллекторном переходе. [38]
Модуляция толщины базы в биполярном транзисторе), или эффект Эрли, - изменение толщины базы при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу. При увеличении обратного напряжения электроны в n - области и дырки в р-об-ласти сильнее оттягиваются отр-п-пе-рехода и толщина запирающего слоя возрастает. Распространение границы запирающего слоя в область базы приводит к уменьшению толщины рабочей части базовой области. [39]
Уменьшение толщины базы приводит к росту / 0, поэтому в настоящее время и предпринимаются попытки отыскания методов производства транзисторов с очень тонкой базой. Другой путь, позволяющий сократить время прохождения дырок через базу, заключается в создании непосредственно в базе тянущего поля. [40]
 |
Зависимость изменения распределения дырок в области базы от изменения толщины коллекторного перехода при постоянном напряжении на эмиттерном переходе. [41] |
Изменение толщины базы при этом не должно привести к изменению начальной концентрации. Так как принятые граничные условия остаются в силе, то в этом случае произойдет изменение плотности дырочного тока за счет изменения градиента концентрации при неизменной концентрации дырок у эмиттера ( рис. VI. Изменение величины тока через переход при неизменном напряжении на переходе также может быть отождествлено с изменением сопротивления перехода. [42]
Уменьшать толщину базы следует еще и по другой причине. При инжекции дырок в базу последние покидают эмиттер с различными скоростями и далее движутся в базе диффузионно. Если на эмиттер задается сигнал высокой частоты, то может оказаться, что медленные дырки, вышедшие из эмиттера под действием первого периода колебаний, дойдут до коллектора позже, чем быстрые дырки, возбужденные следующим периодом. В результате сигнал на выходе будет размыт во времени и мал по амплитуде. [43]
При толщине базы, используемой в промышленных фотодиодах ( / - 2 - 10 - 2 см), учитывая, что для дырок D 49 см2 / сек, получаем / 0 - 10 - 5 сек. Именно такие значения постоянной времени релаксации в фотодиодном режиме получены на опыте. [44]
Так как толщина базы невелика, то дырки пройдут ее без рекомбинации и диффундируют в область коллектора, где, перемещаясь под действием коллекторного напряжения, создадут коллекторный ток. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5