Толщина - база
Cтраница 5
 |
Включение транзистора по схеме с общей базой ( а. токораспре-делеиие внутри транзистора ( б. [61] |
Через W обозначена толщина базы. Значение этого тока близко к единице и сильно зависит от толщины Оазы W, размеров переходов и материала полупроводника. [62]
Учитывая, что толщина базы 2W имеет слабо выраженную зависимость от температуры, а колебания Lp в значительной мере локализуются константами k и q, можно сделать вывод о малой зависимости величины ао от температуры. Более ощутимое повышение стабильности а происходит при этом в области отрицательных температур. [63]
Однако в транзисторе толщина базы мала. Поэтому только часть инжектированных эмиттером электронов успевает рекомбинировать в области базы. Остальные электроны в результате диффузии достигают коллекторного p - n - перехода и проникают в коллекторную n - область, откуда они отсасываются источником коллекторного напряжения. Кроме того, через коллекторный переход от коллектора к базе Рис 7 3 несим-протекает небольшой по величине ток / ко, вы - метричны й тран-зываемый тепловым движением носителей. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5