Толщина - база
Cтраница 2
Толщина базы изменяется за счет изменения ширины слоя объем ного заряда у коллекторного перехода. [16]
Толщина базы определяется температурой и временем диффузии, поэтому необходим тщательный контроль процесса. На современном уровне технологии процент брака, связанный с очень тонкой базой, достаточно высок. В МДП-транзиеторах глубина диффузии не столь критична, и процент выхода годных схем увеличивается. [17]
Толщина базы W значительно меньше длины диффузии дырок в базовой области. [18]
 |
Определение тепловой постоянной времени фотодиода. [19] |
Толщина базы сплавного диода составляет сотни микрон что по формуле ( 7 - 16) соответствует частоте пропускания 100000 гц. У диффузионных фотодиодов толщина базы может составлять всего 3 - 5 мк. Полоса пропускания таких фотодиодов достигает нескольких мегагерц. [20]
 |
Изменение траектории движения инжектированных носителей в магнитном поле в р-п-р-биполярном транзисторе с узкой ( о и широкой ( б базой. [21] |
Поскольку толщина базы много меньше размеров эмиттера и коллектора, то практически все носители, прошедшие базовую область, попадут в коллектор. Однако средний путь, проходимый носителями в базовой области, неоколько возрастет, что приводит к увеличению их доли, рекомбинировавшей в базовой области. Коэффициент передачи тока несколько уменьшится. [22]
Если толщина базы достаточно мала и концентрация дырок в ней невелика, то большинство электронов, пройдя через базу, не успевает рекомбинировать с дырками базы и достигает коллекторного перехода. Лишь небольшая часть электронов рекомбинирует в базе с дырками. В результате рекомбинации возникает ток базы, протекающий в проводе базы. Действительно, в установившемся режиме число дырок в базе должно быть неизменным. Вследствие рекомбинации каждую секунду сколько-то дырок исчезает, но столько же новых дырок возникает за счет того, что из базы уходит в направлении к плюсу источника EI такое же число электронов. Иначе говоря, в базе не может накапливаться много электронов. [23]
Если толщина базы w значительно больше диффузионной длины неосновных носителей заряда - дырок в ней ( w Lpn), то вблизи коллекторного перехода концентрация дырок практически не отличается от равновесной и ток эмиттерного перехода, вызванный изменением напряжения между эмиттером и базой, не изменяет условий прохождения тока через коллекторный переход. К коллекторному переходу приложено обратное напряжение С / к. Величина обратного тока определяется свойствами полупроводника и температурой. При р к р б обратный ток коллекторного перехода состоит в основном из дырок, переходящих из базы в коллектор. [24]
Мгц толщина базы не должна превышать 4 мкм. При очень высоких уровнях инжекции / а может возрасти вдвое. [25]
Поскольку толщина базы мала, то основная часть инжектированных дырок проходит ее насквозь. Как было показано при рассмотрении /) - га-перехода, падение потенциала в основном происходит на самом переходе, а напряженность электрического поля в объеме полупроводника оказывается малою Если дырки не инжектируются, то ток коллектора попросту равен току насыщения для перехода, на который подано смещение в запорном направлении. Когда же неравновесные дырки достигают коллектора, тогда вследствие экстракции этих дырок происходит увеличение тока коллектора, который, как мы видели, попросту равен току дырок, достигающих р - га-перехода благодаря диффузии ( см. гл. Если область с проводимостью га-типа узка, а время жизни дырок достаточно велико, то почти все инжектированные дырки достигнут коллектора. Увеличение тока эмиттера на величину 6 / в приведет к росту дырочного тока на величину у / е и если коллектора достигает только часть инжектированных дырок р, то ток коллектора возрастет на величину Ру / е; таким образом, коэффициент усиления по току ару. Мы предполагаем при этом, что коллекторный ток почти полностью переносится дырками, в чем легко можно убедиться путем создания коллекторной / - области из вещества, обладающего более высокой проводимостью, чем материал с проводимостью га-типа, из которого приготовлена база. Следовательно, для транзисторов с переходами имеем а1, но а может лишь незначительно отличаться от единицы. [26]
Если толщина базы много меньше диффузионной длины неосновных носителей, то базу называют тонкой. [27]
 |
Схема включения р-п - р транзистора. [28] |
Поскольку толщина базы W специально выбирается меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда Lp, рекомбинация в базе невелика и подавляющая часть инжектированных дырок дойдет до коллектора. Поэтому ток в выходной цепи будет почти равен току эмиттера. На включенном последовательно с коллекторным переходом сопротивлении нагрузки Rn будет выделяться напряжение, пропорциональное протекающему через него току коллектора. [29]
Если толщина базы меньше диффузионной длины дырок в ней ( w Lp), то инжектированные в базу дырки будут доходить до коллекторного перехода, почти не рекомбинируя с электронами. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5