Толщина - база
Cтраница 4
 |
Структура кремниевого пла-нарного фототранзистора.| Конструкции фототранзисторов. [46] |
Так как толщина базы мала, то обеспечивается не только большая величина коэффициента передачи тока 5, но и высокая граничная частота. По пленарной технологии изготовляют и полевые ( канальные) фототранзисторы. [47]
 |
Структура кремниевого плаиар - [ IMAGE ] Конструкции фотогран-ного фототранзистора зисторов. [48] |
Так как толщина базы мала, го обеспечивается не только большая величина коэффициента передачи тока р, но и высокая граничная частота. По планарной технологии изготовляют и полевые фототранзисторы. [49]
Чем меньше толщина базы, тем меньшее количество дырок рекомбинирует в ее объеме с электронами и тем большее количество дырок достигает коллекторного перехода и, следовательно, тем больше будет ток через него. [50]
Поэтому уменьшение толщины базы приводит здесь не к. Наилучшим путем уменьшения тле является уменьшение площади р - п-перехода. Высокое быстродействие может быть получено в р - i -л-струк - туре, если поглощение света происходит в высокоом-ной области, а также в фотодиодах на основе барьера Шотки. [51]
С увеличением толщины базы коэффициент переноса согласно ( 4 - 18) неограниченно уменьшается и при w L ( практически при w 3L) близок к нулю. [52]
Наличие неоднородности толщины базы почти не сказывается при работе транзистора в режимах, когда через него протекают небольшие токи и к переходам приложены малые напряжения. [53]
При уменьшении толщины базы частотные свойства транзистора улучшаются. [54]
С увеличением толщины базы коэффициент усиления уменьшается. Перехсды транзистора симметричны, поэтому работоспособность сохранится. [55]
 |
Зависимость коэффициента прямой передачи по току транзистора с ОЭ от частоты.| Эквивалентная схема усилительного каскада на транзисторе с ОБ для высоких частот. [56] |
При уменьшении толщины базы частотные свойства транзистора улучшаются. [57]
С увеличением толщины базы коэффициент переноса согласно ( 4 - 18) неограниченно уменьшается и при w L ( практически при w 3L) близок к нулю. [58]
 |
Схема включения транзистора с пппЯргя нпгмтрля чттртггпмчрг обшей базой ( а и токораспределение внуг - пРооега Носителя ЭЛектричес. [59] |
Через If обозначена толщина базы. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5