Толщина - переход
Cтраница 1
 |
Условное изображение р-п-перехода. [1] |
Толщина перехода достаточна мала и составляет десятки и сотни микрометров в зависимости от концентрации введенных примесей. [2]
Если толщина перехода L значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей Ln или Lp, то фото-ток IK. При коротком замыкании перехода ( рис. 7.3, в) генерируемые светом носители создают ток / к. [3]
Пусть толщина металлургического перехода Дя на границе р - и n - областей ( слоя, в котором происходит изменение типа примеси с акцепторной на донорную) значительно меньше толщины переходного слоя б8п 8р, в котором имеется нескомпенсированный объемный заряд. Такой переход называют резким в отличие от плавного, у которого изменение концентрации примеси происходит вдоль всего электрического перехода. [4]
 |
Распределение электронного и дырочного токов в п - - переходе. [5] |
Так как толщина перехода очень мала и он обеднен носителями, то в нем рекомбинирует мало носителей и ток здесь не изменяется. А далее электроны, инжектированные в р-область, рекомбинируют с дырками. Поэтому по мере удаления от перехода вправо в р-области ток 1 продолжает уменьшаться, а ток ip увеличивается. У правого края р-области ток in наименьший, а ток if наибольший. На рис. 2 - 3 показано изменение этих токов вдоль оси х для случая, когда ток in преобладает над током ip, вследствие того что п Рр и подвижность электронов больше подвижности дырок. Конечно, при прямом напряжении кроме диффузионного тока есть еще ток дрейфа, вызванный движением неосновных носителей. Но если он достаточно мал, то его можно не принимать во внимание. [6]
Выведенные значения толщины перехода и напряженности достаточно точны при обратных напряжениях на переходе и поэтому именно этими формулами мы будем пользоваться. [7]
С увеличением толщины р-п перехода вероятность туннельного просачивания электронов уменьшается и более вероятным становится лавинный пробой. [8]
Таким образом, толщина перехода (2.2) уменьшается, а напряженность поля (2.3) увеличивается с ростом концентрации примесей. [9]
При обратном напряжении толщина перехода (2.6) возрастает непропорционально напряжению, в результате напряженность электрического поля перехода увеличивается и в нем преобладает дрейфовое движение носителей по сравнению с диффузионным: дырки в n - области и электроны в р-области вследствие теплового хаотического движения могут пересечь границы перехода, где они попадают в ускоряющее поле, переносящее их в соседнюю область. В результате уменьшаются концентрации неосновных носителей у границ перехода; это явление называют экстракцией неосновных носителей. Выражения (2.7), (2.8) справедливы и для экстракции, при t / 0 из них следует Дпр0, Дрп0, что соответствует уменьшению концентраций неосновных носителей по сравнению с равновесными концентрациями. [10]
Действие этого прибора основано на зависимости толщины р-п перехода от приложенного к нему напряжения. [12]
Недостаток носителей в ириконтактных слоях уменьшается, толщина перехода становится меньше и сопротивление р-и-перехода понижается. [13]
Поверхностный заряд приводит к увеличению или уменьшению толщины перехода. В результате этого на поверхности перехода может наступить пробой при напряженности поля, значительно меньшей той, которая необходима для возникновения пробоя в объеме. Это явление носит название поверхностного пробоя. Для снижения вероятности поверхностного пробоя необходимо применять защитные покрытия с высокой диэлектрической постоянной. [14]
Для исключения поверхностного пробоя в кремниевом диоде толщину перехода LI ( рис. 3.2, а) в периферийной части кристалла увеличивают по сравнению с толщиной LI в центральной части. Центральная часть перехода формируется диффузией бора, а периферийная - диффузией алюминия. Поэтому напряжение пробоя не зависит от состояния поверхности кристалла. Кроме того, грани кристалла с помощью травления делают наклонными, что увеличивает размеры обедненной области перехода, выходящей на поверхность кристалла, и дополнительно уменьшает возможность поверхностного пробоя. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5