Толщина - переход
Cтраница 4
 |
Структура полевых транзисторов с управляющим. [46] |
Для того чтобы крутизна прибора была достаточно высокой, необходимо, чтобы изменение толщины p - n - перехода было соизмеримо с диаметром канала. В этом случае малые изменения напряжения на затворе вызывают значительные изменения толщины перехода. Чтобы запирающий слой р-л-перехода располагался преимущественно в области канала, а не затвора, стержень канала изготовляют из слаболегированного ( высокоомного) полупроводникового материала ( обычно германия с электропроводностью я-типа), а область затвора подвергается очень сильному легированию акцепторной примесью. [47]
Критическим размером, определяющим характеристику диода, является величина Wp, равная примерно толщине перехода. [48]
В неравновесном состоянии взаимная компенсация нарушается. При обратном смещении ( - f / 06p I Фт) ток термогенерации возрастает, так как величина его пропорциональна толщине перехода. [49]
 |
Диффузионные резисторы полупроводниковых ИС.| Диффузионный конденсатор полупроводниковой. [50] |
Типичным для полупроводниковых ИС является диффузионный конденсатор, в котором используется барьерная емкость п-р-перехода. Емкость такого конденсатора, структура которого показана на рис. 9 - 16, зависит от площади перехода, диэлектрической проницаемости полупроводника и толщины перехода, которая, в свою очередь, зависит от концентрации примесей. Если нужна большая емкость, то используют переход, сделанный одновременно с эмиттерными переходами транзисторов. Температурный коэффициент емкости ( ТКЕ) составляет примерно - 10 - 3К - 1, пробивное напряжение не превышает 10 В. [51]
На рис. 3 - 7 приведена энергетическая диаграмма перехода, к которому приложено значительное обратное смещение. Из рисунка видно, что электроны валентной зоны имеют энергию, равную энергии вакантных мест зоны проводимости, и при малой толщине перехода могут просачиваться в зону проводимости. Толщина перехода при этом должна быть соизмерима с длиной свободного пробега электронов в сильном электрическом поле, чтобы они не испытывали рассеяния в толще барьера. [52]
 |
Зависимость скорости роста граней кристаллов Л от скорости их вращения п. [53] |
Различный характер поведения солей объясняется скоростью их кристаллизации. Поскольку NaNO3 является безводной одновалентной солью и не образует пересыщенных растворов, гидратация ионов этой соли в растворе минимальна. В результате минимальна толщина перехода слоя и максимальна скорость формирования блоков и прирастания их к поверхности. Этим и объясняется отсутствие резко выраженного максимума для азотнокислого натрия в противоположность трех - и шестивалентным солям МН4Н2РО4 и K4Fe ( CN) 6 ЗН2О, ионы которых в растворе сильно гидратированы. [54]
Характеристикой, чувствительной к состоянию поверхности полупроводника, является и величина про-бивного напряжения. На рис. 8.37, б показан несимметричный р - л-переход с высокоомной р-областыо. При отрицательном заряжении поверхностных состояний у поверхности р-области образуется обогащенный слой, вызывающий уменьшение толщины перехода dUOE в приповерхностном слое. При приложении к переходу обратного смещения напряженность поля у поверхности, где переход сужен, окажется выше, чем в объеме полупроводника, вследствие чего более вероятным становится поверхностный пробой. Таким - образом, заряжение поверхности может вызывать понижение пробивного напряжения. [55]
 |
Вольтамперная характеристика р-п перехода. [56] |
Характеристикой, чувствительной к состоянию поверхности полупроводника, является и величина обратного пробивного напряжения. На рис. 9.15 6 показан несимметричный р-п переход с вы-сокоомной / 7-областью. При заряжении поверхности отрицательным знаком у поверхности этой области образуется обогащенный слой, вызывающий уменьшение толщины перехода. При приложении к переходу обратного смещения напряженность поля у поверхности, где переход сужен, окажется выше, чем в объеме полупроводника, вследствие чего более вероятным становится поверхностный пробой. [57]
Из рисунка видно, что при увеличении обратного напряжения емкость перехода падает. Полупроводниковая р - / г-структура представляет собой как бы электрический конденсатор, обкладками которого являются р - и n - области, а диэлектриком - электронно-дырочный переход, практически не имеющий подвижных зарядов. При увеличении обратного напряжения толщина перехода возрастает, обкладки конденсатора как бы раздвигаются и емкость его падает. [58]
Электрический переход образуется в любом полупроводнике с неоднородной концентрацией примесей. Могут быть дырочно-дырочные ( р-р) - пере-ходы и электронно-электронные ( п-га) - переходы, которые образуются между двумя областями полупроводника одного типа, но различной по величине удельной электрической проводимостью. Уменьшение перепада концентрации примесей в контактирующих областях снижает высоту потенциального барьера и толщину перехода. Характерной особенностью переходов р-р - и ге-га - типа является отсутствие инжекции неосновных носителей заряда при смещении перехода и отсутствие выпрямляющих свойств. Сопротивления таких переходов при прямом и обратном смещениях определяются в основном высокоомной областью. Эти переходы возникают прп изготовлении омических контактов к полупроводникам. [59]
Полупроводниковые диоды подразделяются на группы по многим признакам. Бывают диоды из различных полупроводниковых материалов, предназначенные для низких или высоких частот, для выполнения различных функций и отличающиеся друг от друга по конструкции. В зависимости от структуры различают точечные и плоскостные диоды. У точечных диодов линейные размеры, определяющие площадь п - р-перехода, такие же, как толщина перехода, или меньше ее. У плоскостных диодов эти размеры значительно больше его толщины. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5