Толщина - переход
Cтраница 3
 |
Распределение неравновесных дырок в области базы биполярного транзистора. [31] |
Если на коллекторный переход триода подано обратное ( запирающее) напряжение, то для него, как и для всякого полупроводникового диода, при данной полярности напряжения будет свойственна зависимость толщины перехода от величины напряжения на нем. [32]
Для получения большого значения обратного допустимого напряжения ( несколько сотен вольт) в базу силовых диодов вводят малую дозу примеси, что [ согласно ( 2 - 3) ] приводит к увеличению толщины р-п перехода и, следовательно, к увеличению пробивного напряжения. Вопрос обычно решают путем компромисса. [33]
Ток термогенерации пропорционален объему перехода. Поскольку толщина перехода изменяется в зависимости от приложенного напряжения [ см. уравнение (1.52) ], с увеличением обратного напряжения ток термогенерации возрастает. [34]
Он связан с тем, что если поверхностный заряд имеет знак, противоположный знаку основных носителей в базе диода, то на поверхности базы образуется обогащенный слой. Из-за этого толщина р-п перехода у поверхности базы уменьшается, что может привести к пробою. [35]
С уменьшением концентрации примесей ( увеличением удедь-ного сопротивления) толщина перехода возрастает. При прямом смещении толщина перехода уменьшается, при обратном - увеличивается. Выражение ( 2 - 14) для прямого смещения является приближенным, так как при расчете не учитывались движущиеся через переход носители заряда. [36]
Увеличение напряженности поля в области перехода вызывает увеличение ширины перехода. Это явление называется модуляцией толщины перехода; оно имеет существенное значение при работе полупроводниковых приборов. [37]
 |
Изменение заряда, накопленного в базе вследствие Смещения границы коллекторного перехода.| Высокочастотная малосигнальная модель транзистора. [38] |
Для того чтобы учесть эти токи, модель транзистора должна быть дополнена емкостями переходов Сьэ и СЬк. Кроме того, изменение толщин переходов при изменении напряжений сопровождается изменением толщин базы. Модуляция толщины базы в основном определяется модуляцией толщины коллекторного перехода, изменяющегося в довольно широких пределах. [39]
Для уменьшения рекомбинационных потерь в преобразователе применяют высокочистые материалы с регулярной структурой, большими значениями диффузионной длины и временем жизни носителей, подбирают соотношения между глубиной залегания p - n - перехода от поверхности и размерами области генерации носителей. Кроме того, увеличивают толщину перехода, изменяют профиль легирования примесями р-об-ласти для образования внутреннего поля, снижают концентрацию примесей вблизи поверхности кристалла и принимают другие меры с целью уменьшения скорости поверхностной рекомбинации. Создание уровней ловушек в запрещенной зоне полупроводника увеличивает рекомби-национные потери, но снижает световые потери. [40]
АЕ приближается к величине Eg. Протяженность обедненного слоя называется толщиной перехода и также определяется концентрацией легирующих прл-месей; толщина обедненной части уменьшается с ростом уровня легирования. [41]
 |
Схема р-л-перехода. а - без внешнего напряжения ( нулевое смещение. б - прямое смещение.| Спектры излучения светодиодов. [42] |
При продолжительности жизни 10 - с такая скорость генерации может обеспечить концентрацию носителей 1024 10 9 1015 см - з, что значительно выше равновесной концентрации неосновных носителей тока при комнатной температуре. Избыточные носители тока реком-бинируют в пределах толщины перехода; при этом генерируется оптическое излучение, а концентрация носителей снижается до равновесного уровня. [43]
 |
Конические сварные переходы.| Штуцерные и тройниковые соединения. [44] |
Если технология изготовления позволяет, то на подкатанном или обжатом конце перехода рекомендуется выполнять прямой участок, толщина которого не меньше допустимого расчетом. Прямой участок может быть выполнен также механической обработкой, если толщина перехода после обжатия достаточна. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5