Толщина - переход
Cтраница 2
Отсюда видно, что при подаче прямого напряжения толщина перехода уменьшается. При этом уменьшается и сопротивление перехода, которое, следовательно, является нелинейным. [16]
Поверхностный пробой является следствием влияния поверхностного заряда на толщину перехода. Поверхностный заряд, имеющийся, как правило, на поверхности полупроводникового кристалла в месте выхода электронно-дырочного перехода, сильно искажает картину поля в переходе. [17]
При переходе к режиму насыщения эмиттерный переход открывается, толщина перехода и его нескомпенсированный заряд уменьшаются, происходит как бы разряд емкости эмиттерного перехода. [18]
С уменьшением концентрации примесей ( увеличением удедь-ного сопротивления) толщина перехода возрастает. При прямом смещении толщина перехода уменьшается, при обратном - увеличивается. Выражение ( 2 - 14) для прямого смещения является приближенным, так как при расчете не учитывались движущиеся через переход носители заряда. [19]
Для бесшовных конических переходов прибавка на минусовое отклонение по толщине перехода Ct устанавливается ТУ на изготовление; для переходов со сварным швом, изготовленных из листа, - наибольшему минусовому отклонению по толщине листа, но не менее 1 0 мм. Прибавка С3 принимается такой же, как и для прямых труб. [20]
Представление диода в виде системы с сосредоточенными параметрами возможно только, если линейные размеры ( толщина перехода, радиус перехода) малы по сравнению с длиной волны. Толщина выпрямляющего слоя в СВЧ диодах имеет величину порядка долей микрона и не определяет частоту, до которой можно пользоваться данной эквивалентной схемой. Сопротивление растекания rs сосредоточено, главным образом, около точечного контакта. Полусферическая область кристалла, определяющая сопротивление rs, примыкает к точечному контакту и имеет радиус в несколько десятков микрон при радиусе контактного острия в несколько микрон. В связи с этим ясно, что сопротивление растекания rs можно представить в эквивалентной схеме в виде сосредоточенного параметра даже до длин волн порядка миллиметра. Размеры конструктивных элементов СВЧ диода уже в диапазоне волн 3 см становятся соизмеримыми с длиной волны, поэтому индуктивность контактной пружины и емкость патрона в этом случае можно рассматривать как сосредоточенные лишь с известными допущениями. [21]
 |
Конструкция СВЧ-диодов.| Эквивалентная схема СВЧ-диода. [22] |
Представить диод в виде системы с сосредоточенными параметрами можно, только если линейные размеры ( толщина перехода, радиус перехода) малы по сравнению с длиной волны. Толщина выпрямляющего слоя в СВЧ-диодах имеет величину порядка долей микрометра и не определяет частоту, до которой можно пользоваться данной эквивалентной схемой. Полусферическая область кристалла, определяющая сопротивление гб, примыкает к точечному контакту и имеет радиус в несколько десятков микрометров при радиусе контактного острия в несколько микрометров. [23]
 |
Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим р-п переходом. [24] |
Принцип работы транзистора основан на прохождении тока по каналу, поперечное сечение которого зависит от толщины р-п перехода. [25]
В мощных диодах слой объемного заряда захватывает в основном i-область, где концентрация носителей наименьшая и толщина перехода соответственно увеличивается. Поэтому мощные диоды способны выдерживать большие обратные напряжения. [26]
Фототек прямо пропорционален концентрациям неравновесных носителей, генерируемых в единицу времени в области размером L Lp Ln, где L - толщина перехода; Lp и Ln - диффузионная длина неосновных носителей. Эти концентрации прямо пропорциональны значению монохроматического светового потока. Поэтому световой поток и фо-тоток связаны между собой линейной зависимостью. [27]
 |
Эквивалентная схема СВЧ диода. [28] |
Представление выпрямляющего контакта в виде системы элементов с сосредоточенными параметрами возможно только в том случае, пока линейные размеры системы ( толщина перехода, радиус перехода, размер объема германия, в котором в основном сосредоточено сопротивление растекания) малы по сравнению с длиной волны. Толщина выпрямляющего слоя в СВЧ диодах имеет величину порядка 10 - е см и не будет определять частоту, до которой мы можем пользоваться данной эквивалентной схемой. [29]
Фронты распределения концентрации донорных и акцепторных примесей довольно крутые, поэтому, пренебрегая ввиду их малости толщинами р - п - и / г-п - переходов, толщину перехода можно рассматривать как толщину wi i-области. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5