Cтраница 5
Барьерная емкость зависит от удельного сопротивления и подвижности носителей, от толщины и площади перехода и напряжения на нем. Увеличение обратного напряжения расширяет область пространственного заряда. Это приводит к уменьшению барьерной емкости. При прямом смещении толщина перехода уменьшается и емкость возрастает. Барьерная емкость р - 7г - перехода используется в варикапах ( или параметрических диодах), представляющих собой полупроводниковый Диод, применяемый в качестве конденсаторов переменной емкости. Барьерная емкость имеет относительно высокую добротность, малый температурный коэффициент, низкий уровень шумов и не зависит от частоты вплоть до миллиметрового диапазона. [61]
Кремниевые стабилитроны работают в необычном для полупроводниковых приборов режиме пробоя. У кремниевый диод при некотором достаточно большом значении напряжения, приложенном в запирающем направлении, начинает проводить. Если это происходит в обычном выпрямителе, где не прлнято никаких мер к ограничению обратного тока через диод, последний быстро выходит из строя из-за перегрева р-п перехода. Однако, если мощность, рассеиваемая р-п переходом, не превышает допустимой, диод сохраняет работоспособность. Величина напряжения, при котором происходит пробой, зависит от толщины р-п перехода. [62]