Толщина - запирающий слой
Cтраница 1
 |
Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. [1] |
Толщина запирающего слоя обычно не превышает нескольких микрометров. [2]
Толщина запирающего слоя обычно не превышает нескольких микрон. [3]
 |
Образование потенциального. [4] |
Толщина запирающего слоя изменяется в зависимости от величины и направления приложенного напряжения. [5]
Колебания толщины запирающего слоя вызывают более пли менее сильное перетягивание линий тока в кристалле германия n - типа. Этот процесс управления в значительной степени аналогичен действию отверстия в сетке высоковакуумного триода. [6]
Оцените толщину запирающего слоя в германии, исходя из предположений, что плотность объемного заряда постоянна, концентрации доноров и акцепторов по обе стороны контакта равны, все примеси ионизированы. [7]
 |
Контакт металла с полупроводником при включении внешнего напряжения. [8] |
Следовательно, толщина запирающего слоя при отрицательном напряжении будет увеличиваться и ток практически будет оставаться малым в широком интервале напряжений. [9]
По мере увеличения внешнего напряжения толщина запирающего слоя стремится к нулю, а его удельное сопротивление уменьшается до величины, близкой к величине удельного сопротивления соприкасающихся полупроводников. Через кристалл течет так называемый прямой ток, значение которого определяется сопротивлением кристалла при отсутствии запирающего слоя, сопротивлением внешней цепи и приложенным напряжением. Прямой ток обусловлен главным образом встречным движением основных носителей, так как концентрация и число переходов неосновных носителей очень малы. [10]
Как следует из формулы, толщина запирающего слоя одного и того же р-п перехода зависит от различных факторов. [11]
 |
Условное обозначение полупроводникового диода и вольт-амперная характеристика диодов. [12] |
По мере увеличения прямого напряжения толщина запирающего слоя уменьшается, и прямой ток может возрасти до весьма больших значений. Ток, создаваемый неосновными носителями заряда, будет мал и направлен в обратном направлении. [13]
Емкость такого конденсатора зависит от ширины и толщины запирающего слоя. Для кремниевого прибора возможны емкости до 200 мкф / см2, пробивные напряжения несколько сотен вольт и малые температурные коэффициенты емкости. Так как толщина запирающего слоя меняется в зависимости от приложенного напряжения, то описанное устройство явл яется нелинейным. Это свойство в данном случае приводит к необходимости работы только при малых значениях напряжений. Кроме того, такой конденсатор является поляризованным. [14]
Изменяя величину приложенного постоянного напряжения, можно менять толщину запирающего слоя, что будет приводить к изменению емкости. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5