Толщина - запирающий слой
Cтраница 2
Для возникновения лавинного пробоя ( лавинного размножения носителей) нужно, чтобы толщина запирающего слоя была больше средней длины свободного пробега носителей. Увеличение тока лавинного пробоя происходит из-за размножения носителей в запирающем слое при их столкновениях с атомами в узлах кристаллической решетки. Получив в ускоряющем поле относительно большую кинетическую энергию, неосновные носители способны при столкновениях с атомами полупроводникового вещества разрывать валентные связи, что приводит к появлению дополнительных пар носителей электрон - дырка. [16]
 |
Полевой транзистор с управляемым р-л-переходом. [17] |
Работа этих транзисторов основана на модуляции эффективного сечения канала, которую осуществляют изменением толщины запирающего слоя обратно смещенного р-и-перехода. Область, от которой начинают движение основные носители, называют истоком, а область, к которой движутся основные носители, - стоком. Область, используемая для управления тока, протекающего через канал, называют затвором. Источник Е создает отрицательное напряжение на эмиттере. [18]
Напряжение стабилизации современных стабилитронов лежит в пределах 1 - 1000 В и зависит от толщины запирающего слоя p - n - перехода. [19]
 |
Образование выпрямляющего р - / 1-перехода - заряд иона донора. - - дырка. - - заряд иона акцептора. Q - электрон. [20] |
В этом случае дырки и электроны, двигаясь навстречу друг Другу, будут уменьшать толщину запирающего слоя и снижать его сопротивление. [21]
Для увеличения максимально допустимого напряжения коллектора, которое ограничивается напряжением пробоя коллекторного перехода, зависящего от толщины запирающего слоя, в область коллектора обычно вносят меньшую дозу примеси, чем в область эмиттера NaK. [22]
Таким образом, с увеличением приложенного напряжения при положительных значениях U ( минус на полупроводнике) толщина запирающего слоя уменьшается. При eU 5s ср запирающий слой исчезает полностью. [23]
Поэтому электроны в л-области и дырки в р-области удаляются от границы раздела полупроводников, что приводит к увеличению толщины запирающего слоя. Сопротивление запирающего слоя также возрастает. [24]
 |
Подключение источников напряжения к полупроводниковому диоду. [25] |
При противоположной полярности источника напряжения ( рис. 3.6 6) внешнее электрическое поле направлено навстречу полю двойного электрического слоя, толщина запирающего слоя уменьшается и при напряжении 0 3 - 0 5 в запирающий слой исчезает совсем. Сопротивление р-л-перехода резко снижается и через него проходит большой ток. Это направление тока называется прямым В прямом направлении сопротивление р-л-перехода определяется только сопротивлением полупроводника. [26]
Прибор, называемый канальным транзисторам, показан на рис. 13.1. Действие этого трехполюсного устройства с одним р-п-переходом основано на зависимости толщины запирающего слоя от электрического поля, приложенного к переходу. К переходу всегда прикладывается смещение, обратное по сравнению со случаем обычного его использования. Основные носители перемещаются в цилиндрической части полупроводника га-типа от истока к стоку, как показано да рис. 13.1. Тюк направлен, разумеется, от стока к истоку. Поэтому термины исток и сток относятся к потоку основных носителей. [27]
 |
Вольт-амперная стика р-л-перехода. [28] |
При противоположной полярности источника напряжения ( рис. 1.2, б) внешнее электрическое поле направлено навстречу полю двойного электрического слоя, толщина запирающего слоя уменьшается и при напряжении 0 3 - 0 5 В запирающий слой исчезает. Сопротивление p - n - перехода резко снижается, и возникает сравнительно большой ток. Ток при этом называют прямым, а переход-открытым. Сопротивление открытого p - n - перехода определяется только сопротивлением полупроводника. [29]
Страницы: 1 2 3 4 5